供应 场效应管 SI4894BDY 4894
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI4894BDY | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω
产品型号:SI4894BDY Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES:
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
* TrenchFET Power MOSFET
* 100% Rg Tested
封装:SOP-8
品牌：VISHAY/威士
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):8.9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):1.4
输入电容Ciss(PF):1580 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：32
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SI4894BDY,30V,8.9A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管
登陆我站:http://www.chinajincheng.com
企业Q Q:4006262666
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK80A08K3 K80A08K3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. TK80A08K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.0045Ω TK80E06K3,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.0085Ω TK30A06J3A,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,30A,0.026Ω 产品型号:TK80A08K3 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0045 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):8200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：200 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):443 导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ. 上升时间Tr(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ. 下降时间Tf(ns):150 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TK80A08K3 75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管 登陆我站:http://www.chinajincheng.com 企业Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK75A06K3 K75A06K3
信息内容：产品型号:TK75A06K3 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):4500 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV) 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。dzsc/19/4272/19427230.jpg
