供应华晶场效应管CS6N60F A9H
| 价 格： | 1.00 | |
| 型号/规格： | CS6N60FA9H | |
| 品牌/商标： | 华晶 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 管装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
主要应用领域：电源适配器，隔离式的LED驱动，LCD电源
6N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
N沟道增强型场效应管,在场效应管中分结型(JFET),绝缘栅型(IGFET),而在绝缘栅型中又分为N沟道增强型,,N沟道耗尽型,P沟道增强型,P沟道耗尽型,结型分为N沟道,P沟道,在场效应管中,字母分别代表着不同的意思:G栅极,S源极,D漏极,B衬底.
一般的场效应管的特点:
具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处。
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供应场效应管CS5N60F
信息内容：主要应用领域：电源适配器，隔离式的LED驱动，LCD电源 Silicon N-Channel Power MOSFET CS5N60FA9HD General Description： VDSS 600 V ID 4 A PD(TC=25℃) 30 W RDS(ON) 1.9 Ω CS5N60FA9HD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features： 竛 Fast Switching 竛 ESD Improved Capability 竛 Low Gate Charge (Typical Data: 18nC) 竛 Low Reverse transfer capacitances(Typical: 15pF) 竛 100% Single Pulse avalanche energy Test
供应场效应管CS12N60FA9HD
信息内容：主要应用领域：电动车充电器 Silicon N-Channel Power MOSFET CS12N60FA9HD General Description： VDSS 600 V ID 12 A PD(TC=25℃) 55 W RDS(ON) 0.55 Ω CS12N60FA9HD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220F, which accords with the RoHS standard. Features： 竛 Fast Switching 竛 ESD Improved Capability 竛 Low Gate Charge (Typical Data: 18nC) 竛 Low Reverse transfer capacitances(Typical: 15pF) 竛 100% Single Pulse avalanche energy Test
