供应AOTF10N60场效应管600V10A
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOTF10N60 | |
| 品牌/商标： | AOS | |
| 封装形式： | TO220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 50W |
| 安装类型 | 通孔 |
致于原装IR（国际整流器公司）、VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、FAIRCHILD（仙童）、英飞凌（Infineon）的
各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务。
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 洪先生
- 电话：0755-82850509/83013722/83236380
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供应CEF04N6场效应管系列现货
信息内容：种类: MOSFET 沟道类型: N 耗散功率 (Pd): 35 漏源电压 (Uds): 600V 栅源电压 (Ugs): 30 漏极电流 (Id): 4.2 工作温度 (Tj), °C: 150 导通上升时间 (tr): 18nS 输出电容 (Cd), pF: 75 静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 2.4 封装形式: TO220F 深圳市东柏森电子有限公司（原：深圳市福田区锦煜电子商行）成立于2004年，从事电子元器件贸易的配套服务， 致于原装IR（国际整流器公司）、VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、FAIRCHILD（仙童）、英飞凌（Infineon）的 各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务。
供应75V80A场效应管STP75NF75
信息内容：FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 75V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 80A （Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3700pF @ 25V 功率 - 值 300W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3
