供应75V80A场效应管STP75NF75
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP75NF75 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | 超大功率 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 300W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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供应STP80NF70场效应管68V06A
信息内容：FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 68V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 96A （Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 48A， 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 99nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5850pF @ 25V 功率 - 值 110W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 深圳市东柏森电子有限公司（原：深圳市福田区锦煜电子商行）成立于2004年，从事电子元器件贸易的配套服务， 致于原装IR（国际整流器公司）、VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、FAIRCHILD（仙童）、英飞凌（Infineon）的 各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖...
供应6.26A 600V场效应管FQPF8N60C
信息内容：FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 6.26A （Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 1.5 欧姆 @ 3.13A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1255pF @ 25V 功率 - 值 48W 安装类型 通孔 LED电源专用MOS管，快速二极管： 进口仙童FQPF2N60C 4N60C 5N60C 7N60C 8N60C 10N60C 12N60C 进口ST:STP4NK60ZFP STP5NK50ZFP STP7NK60ZFP STP9NK660ZFP ...
