FNK5530P|MOS管应用在不间断电源
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530P | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET的描述
FNK5530P采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=55V,ID=-30A
RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
MOS管的介绍
mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
FNK6A|厂家大量批发MOS管
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK6A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●VDS=20V,ID=4A <27mΩ的RDS（on）@ VGS= 2.5V RDS（ON）<22MΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理
FNK6A|MOSFET电池保护应用
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK6A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●VDS=20V,ID=4A <27mΩ的RDS（on）@ VGS= 2.5V RDS（ON）<22MΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）讯号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输...
