乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK6A采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。
一般特点
●VDS=20V,ID=4A
<27mΩ的RDS(on)@ VGS= 2.5V
RDS(ON)<22MΩ@ VGS= 4.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。 FNK6A采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●VDS=20V,ID=4A <27mΩ的RDS(on)@ VGS= 2.5V RDS(ON)<22MΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流(DC)讯号而言,MOSFET的栅极端阻抗为无限大(等效于开路),也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点,而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电,而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里,除了负责驱动芯片外负载(off-chip load)的驱动器(driver)外,每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极,如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下,BJT的逻辑电路(例如最常见的TTL)就没有这些优势。MOSFET的栅极输...
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货。 FNK6A采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●VDS=20V,ID=4A <27mΩ的RDS(on)@ VGS= 2.5V RDS(ON)<22MΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的电路符号 常用于MOSFET的电路符号有很多种变化,最常见的设计是以一条直线代表通道,两条和通道垂直的线代表源极与漏极,左方和通道平行而且较短的线代表栅极,如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替,以区分增强型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗尽型MOSFET(depletion mode MOSFET)。