FNK01H14T|MOS管现货原装
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK01H14T | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-247 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
FNK N沟道增强模式功率MOSFET
描述
FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=100V,ID=140A
RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ）
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
- 所属城市：广东 惠州
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FNK5530PK|场效应管的工作原理
信息内容：乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK5530PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=-30A RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 场效应管的工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为...
FNK5530PK|场效应管特点
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK5530PK采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=55V,ID=-30A RDS（ON）<40MΩ@ VGS=-10V ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
