FNK01H14T|MOSFET采用先进的沟槽技术
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK01H14T | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-247 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
FNK N沟道增强模式功率MOSFET
描述
FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=100V,ID=140A
RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ）
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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FNK01H14T|MOSFET电源开关应用
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK N沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=100V,ID=140A RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ） ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。 今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗...
FNK01H14T|MOS管现货原装
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK N沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=100V,ID=140A RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ） ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源
