FNK01H14T|场效应管高ESD能力
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK01H14T | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-247 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
FNK N沟道增强模式功率MOSFET
描述
FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=100V,ID=140A
RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ）
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
场效应管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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FNK01H14T|场效应管应用于不间断电源
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK N沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=100V,ID=140A RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ） ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐...
FNK01H14T|MOSFET采用先进的沟槽技术
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK N沟道增强模式功率MOSFET 描述 FNK01H14T采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。 一般特点 ●VDS=100V,ID=140A RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS= 10V（典型值：5.2mΩ） ●高密度电池设计超低导通电阻 ●全雪崩电压和电流 ●良好的稳定性和均匀性，高EAS ●良好的散热性能的包装 ●特殊工艺技术，高ESD能力 应用 ●电源开关应用 ●硬开关和高频电路 ●不间断电源 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
