松下蓄电池的特性：

1.储备容量高。
2.充放电无酸雾。
3.充电接受能力强，可大电流充电(0.8C-1C)。
4.可大电流放电，8秒内30C放电电流，电流不损伤。
5.可超深度放电，可多次尽放电，电池不会损害。
6.适温性极强，可在－50~60℃温度下使用。
7.自放电小，完全免维护，全充电后，常温存放一年仍可正常使用。
8.使用寿命长，为铅酸电池的一倍。
9.绿色环保无污染，报废后全部材料可再生回收，电解质无污染。
10.抗震性能好，能在各种恶劣的环境下安全使用。
11.不受空间限制，使用时可任意方位放置。
12.使用简易
13.由于单体电池的内阻、容量、浮充电压一致性好，因此无需均衡充电。

                      松下蓄电池产品特性：
1、超前的设计理念
采用的集成功率元器件及DSP技术，大幅降低了体积及重量。同时，新的设计理念采用高密度表面处理，简化电路，减少接点及联线，不但降低电磁干扰，还提高UPS可靠性。
2、在线式双重变换技术
保证了高质量电源的持续供应，电网上任何形式的干扰，被彻底滤除，输出波形是经过重组再生的纯正正弦波；电池仅用作后备电源考虑。
3、宽广的输入电压范围
PULSAR DX具有宽广的输入电压范围，范围从179-275伏，能保持正常电压输出，极大地减少了转换到电池供电的机会，充分延长电池寿命。
4、高性能的电池充电器
PULSARDX充电器是均浮充二段式的充电设计，可对电池快速充电，并提供充放电保护，延长电池寿命；电池低电压保护，防止电池因过茺放电造成性损坏；功率因数校正，提高了能源的利用率，并与发电机完全兼容。
5、灵活性和扩展性
后备时间：从10分钟到数小时
PULSARDX可以连接长延时电池组到UPS，而不会干扰UPS电源的正常工作，也可采用长延时充电器，使UPS在满负载条件下，提供长达8小时的后备时间。

LC-P系列---后备浮充使用长寿命品

用途：大、中、小型UPS、通讯领域、医疗设备、安全系统等

特点：浮充期待寿命6年(25℃)/10年(20℃)；

更高比能量；

采用优质阻燃材ABS槽壳，符合UL94V-0标准，降低壳体燃烧可能；

优质板栅合金、独特生产工艺，增强板栅抗腐蚀能力，延长产品使用寿命。

型 号 电压(V) 容量(Ah)

20小时率 20HR 外型尺寸(mm) 端子型号 单重

(约Kg)

长(L) 宽(W) 高(H) 总高(TH)

LC-P127R2 12 7.2 151 64.5 94 100 187& 250M 2.50

LC-PA1212 12 12 151 98 94 100 187& 250M 3.65

LC-PA1216 12 16 151 98 99 105 187& 250M 4.10

LC-PD1217 12 17 181 76 167 167 M5 L& M5 A 5.45

LC-P1220 12 20 181 76 167 167 M5 L& M5 A 5.80

LC-P1224 12 24 165 125 175 179.5/175 M5 L& M5 A 8.05

LC-P1228 12 28 165 125 175 179.5/175 M5 L& M5 A 9.40

LC-P1238 12 38 197 165 175 180/175 M6 L& M5 A 12.5

LC-P1242 12 42 197 165 175 180/175 M6 L& M5 A 13.5

LC-P1265 12 65 350 166 175 175 M6 L 19.0

LC-P1275 12 75 350 166 175 175 M6 L 21.5

LC-P12100 12 100 407 173 210 236 M8 L 29.0

LC-PB12100 12 100 407 173 210 236 M8 L 36.5

LC-P12120 12 120 407 173 210 236 M8 L 34.5

LC-P12150 12 150 532.4 183.3 209 235/214 M8嵌入式铜芯 45.0

漏极电流10M是根据避免动态掣住效应而确定的，与此相应还确定了的门源电压VCSM，只要不超过这个值，外电路发生故障时，lGBT从饱和导通状态进人放大状态，漏极电流与漏游、电压元关，基本保持为恒定值，这种特性有利于通过控制门极电压使漏极电流不再增加，进而避免掣住效应的发生。在这种状态下应尽快关断lGBT，以避免因过度发热而导致器件损坏。比如当门源电压VCS=10~15V时，漏极电流可在5~10猀蔀蕑过额定电流4~10倍，在这种情况下仍能用反向偏置的VCS进行关断。若超过这个界限，IGBT就有损坏的危险。
　　
　　IGBT允许的漏源电压VOSM是由该器件中PNP晶体管的击穿电压确定的，目前已有耐压1200V以上的器件。IGBT的允许结温一般商用器件为150"(:。功率MOSFET的通态压降随着结温的升高而显著增加，而且BT的通态压降VOS(on)则在室温和结温之间变化甚小，其原因是IGBT中MOSFET部分的压降为正温度系数，而PNP晶体管部分的压降是负温度系数，两者相结合使器件获得了良好的温度特性。现以东芝公司MG25N2S1型25A110∞V的IG-BT模块为例，说明它的具体特性和参数，便不了解这种器件的读者有一个定性和定量的印象。表2.2给出了该模块的额定值;表2.3给出了其各种电气特性。在这里IGBT各电极的参数采用图2.19(b)右图所示的符号，即漏极改为集电极，源极改为发射极。
　　
　　在上述表中，源漏电压(即集电极-发射极电压)VCES可以是600V、1000V和1200V等，但其门极-发射极电压VCES是不可以超过的，同样结温和紧固力矩也是不可以超过的。

前面所说的误区，一种是无意的习惯势力，一种是有意的误导。实际上高频机型UPS的出现和应用是历史发展的规律，是技术发展到了这个阶段。目前国内公认的销售额占60以上的UPS三巨头一-伊顿、施奈德和爱默生均在做高频机型UPS。伊顿和施奈德已做了多年的高频机型UPS，爱默生也在2010年买下了具有高频机型UPS生产能力的克劳瑞德。国内的UPS制造商也无一不在同时制造高频机型UPS。
　　
　　实际上高频机型UPS的出现和应用，除了节能、节材和节资外，还给用户带来许多意想不到的好处，这在后面有关章节将-一介绍。
　　
　　对UPS中变压器功能的误解
　　
　　工频机型UPS中的输出变压器只有变压和产生接地点的功能，但有人将它的功能元限扩大，尤其是将它说成是抗*的"神圣"，使得用户在规划机房供电时将其作为抗各种*的必选设备。
　　
　　这里的误区又是一个基本概念问题。首先要弄明白什么性质的器件可以抗*，普通电源变压器属于哪一类性质的器件。众所周知，非线性器件和惯性器件才能抗*。在这里大概指的是变压器的非线性电感功能。图1.2示出了变压器和电感对*的抑制功能。实际上不用争论，用双踪示波器将输人和输出波形做一下比较就清楚了。从波形上可以看出，变压器根本就不抗*，而电感才是正宗的抗***件。为什么?因为电感是非线性器件，而变压器在正常工作时是线性的。如果变压器的输入、输出波形不是图1.2(a)而是图1.2(b)所示的样子，那就证明该变压器具有电感功能，不是特殊绕制是不允许的。这在后面有关章节都有叙述。

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