胶体dryfit A400系列电池是把普通电解液固定于胶体中的密闭式铅酸可充电电池，胶体电池技术是阳光公司发明并实现，实现了电池少维护耐重负荷，从而节省了维护、补 水及检查的费用支出。不再需要昂贵的、配有特殊设备的、单独的电池室。胶体电池可以在安装地充电。同普通液体电解液电池相比，运行费用可减少30%。
dryfit A400系列电池不仅具有极高的经济价值，而且易于转运，同时，他析气量低，经久耐用，寿命长达10年。多年的实际运行经验确保了他的高度可靠性。由于自 放电率低，即使存储两年也可不需充电便立即投入运行。
在国际上，胶体电池被认为是一种环保型电池系统。在电池的开发阶段就充分考虑了环境因素，选用环保型原料。德国阳光蓄电池的环保管理人员用比法律更严格的规范来 监控阳光公司的生产场所。另外，德国阳光公司保证可以在电池寿命终止时回收电池并作适当处理，铅、塑料和酸可完全循环使用。
胶体dryfit A400电池的容量从5.5安时到200安时，规格间隔分配合理。请使用dryfit胶体电池，您会体会到胶体技术-这一国际公认的成熟技术的种种优势。 到目前为止，世界上还未有任何其他电池系统能与胶体技术相媲美。

型号 防火等级 电压 V C10 1.8 VpC 20℃ Ah 长 mm 宽 mm 高 mm 约重 kg
A412/5.5 SR UL94 HB 12 5.5 152 66 98 2.5
A412/8.5 SR UL94 HB 12 8.5 152 98 98 3.6
A412/12 SR UL94 HB 12 12 181 76 156 5.6
A412/20 G5 UL94 HB 12 20 167 176 126 8.5
A412/32 G6 UL94 HB 12 32 210 175 175 13.6
A412/32 F10 UL94 HB 12 32 210 175 181 14.1
A412/50 G6 UL94 HB 12 50 278 175 190 19.5
A412/50 A UL94 HB 12 50 278 175 190 19.5
A412/50 F10 UL94 HB 12 50 278 175 196 20.0
A412/65 G6 UL94 HB 12 65 353 175 190 24.6
A412/65 F10 UL94 HB 12 65 353 175 220    25.1
A412/85 F10 UL94 HB 12 85 204 244 276 32.0
A412/90 A UL94 HB 12 90 284 267 230 34.5
A412/90 F10 UL94 HB 12 90 284 267 237 35.0
A412/100 A UL94 HB 12 100 513 189 223 39.5
A412/100 F10 UL94 HB 12 100 513 189 223 40.0
A412/120 A UL94 HB 12 120 513 223 223 48.5
A412/120 F10 UL94 HB 12 120 513 223 223 49.0
A406/165 A UL94 HB 6 165 244 190 275 31.0
A406/165 F10 UL94 HB 6 165 244 190 282 31.5
A412/180 F10 UL94 HB 12 180 518 274 244 70.0
A412/180 A UL94 HB 12 180 518 274 238 69.5

用IGBT构成的高频整流器和用晶闸管一样是对输入电压波形实行切割，所不同的是，晶闸管是对输入电压波形实现集中切割，需要多少切割多少;而且BT是对输入电压波形实行均匀地高频切割，如图2.18所示。有的是频率固定而切割宽度可调，有的是宽度固定而频率可调，这样做的目的是为了使输入电流和电压同相，达到输入功率因数为l的目的。既然如此，就和用晶闸管时不一样了，是不是就可以将输人电压的变化范围变得很大呢?事情也并非如此简单。为了说明这个问题，不得不从IGBT的性质说起，而且IGBT将是图2.18用IGBT作高频整流器的切割波形情况今后UPS中的主导器件。

　　
　　2)IGBT的性能
　　
　　IGBT称做绝缘门极双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)，它是综合了功率场效应管MOSFET和达林顿晶体管GTR二者的优点的一种器件。由表2.1可以看出它们之间的关系。

　　
　　从表中可以看出，IGBT的性能处于功率场效应管MOSFET和达林顿晶体管GTR之间，并且集中了二者的优点。比如，GTR是电流驱动，因此驱动效率低、驱动电路复杂，而MOSFET是电压驱动，因此驱动效率特别高，驱动电路也简单，于是，IGBT就采用了电压驱动方式;器件打开后，MOSFET的饱和压降大，造成功耗大、效率低，而GTR的饱和压降非常低，因此其功耗小、效率高，故IGBT就采用了它的这个优点，等等。所以IGBT一问世就得到了广泛的使用。据东芝公司以前的报导，1200V/100A等级IGBT的导通电阻是同一耐压规格功率MOSFET的1110;开关时间是同规格GTR的1110。一般GTR的工作频率在5kHz以下，MOSFET在30kHz以上，IGBT的工作频率在10~30kHz之间。
　　
　　3)IGBT的简单工作原理
　　
　　上述那些优点是如何实现的呢?这个问题可以用图2.19(a)所示的简化等效电路来说明。IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR，图中电阻Rd，是厚基区GTR基区内的调制电阻。它有三个极，分别称做漏极D(Drain)、游、极S(Source)和栅极G(Gate)，有的也将栅极称为门极。由这个等效电路图也可以看出，IGBT是以GTR为主导的器件，MOS-FET只是一个驱动器件。图中的GTR是PNP管构成的达林顿管，MOSFET为N沟道器件。因此这种结构称为N-IGBT，或称N沟道IGBT。
　　
　　IGBT的图形符号有两种，如图2.19(b)所示。图2.19(b)左面表示的是N-IGBT的一种图形符号，它和MOSFET的图形符号基本相似，不同的是在漏极增加了一个向内的箭头，其含义就是注入孔穴。至于P-IGBT的图形符号也类似，只要把原来的箭头方向反转180。就可以了。图2.19(b)右面表示的是N-IGBT的另一种图形符号，在这里漏极和源极的名称被集电极C(Collector)和发射极E(Emitter)所代替。

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