FNK4481|MOS管栅极电压低至4.5V
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4481 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明
FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V.
一般特征
●I=-30A
●R <40MΩ@ VGS=-4.5V
●R <23mΩ@ VGS=-10V
高功率和电流移交能力
无铅产品
应用
●电池开关
●负荷开关
●电源管理
- 所属城市：广东 惠州
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- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
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FNK4481|场效应管无铅环保
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明 FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V. 一般特征 ●I=-30A ●R <40MΩ@ VGS=-4.5V ●R <23mΩ@ VGS=-10V 高功率和电流移交能力 无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理
FNK4481|场效应管的工作原理
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明 FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V. 一般特征 ●I=-30A ●R <40MΩ@ VGS=-4.5V ●R <23mΩ@ VGS=-10V 高功率和电流移交能力 无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管的工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切...
