供应SSD-602 紫外线传感器

价格：		1.00
型号/规格：		SSD-602 紫外线传感器 SSD-602 紫外线传感器 (贴片式)
品牌/商标：		HONEYWELL（霍尼韦尔）

详细介绍
企业详情

SSD-602 紫外线传感器 (贴片式)
1.     简介
SSD-602 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管，是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏，它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性，在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。
2.     用途：
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具)；
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)；
3.     特点：
a.       对紫外线检测灵敏度高；
b.       感应重复性高；
c.       抗可见光干扰强；
d.       体积微小；
e.       寿命长；
4.     适用人士：长期从事户外工作的工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿；
5.     传感器参数

参数	符号	条件	最小值	中心值	值	单位
光谱带宽变化范围	l_b	—	290	—	400	nm
峰值灵敏度波长	lp	—	—	330	—	nm
暗光输出电压	V_dark	光强= 100 mW/m² lp= 330 nm	—	0	2	mV
灵敏度	Vs	R_L=1MΩ	3.9	4.0	4.1	mV/UVI
反向击穿电压	V_BR	—	30	40	100	V
正向电压	V_F	I_f=10mA	2.6	3.0	3.5	V
总电容	C_t	f=1MHz	—	6	—	pF
上升时间	t_r	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	10	—	mS
下降时间	t_f	R_L=1MΩ C_L=1000pF	—	500	—	mS

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UV Photodiodes GaN

UV-photodiodes based on GaN are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness

	Spectral range	Chip size	Package	Note
GUVA-S10GD	200 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 3528	Si window
GUVB-S11GD	200 - 320 nm	0.16 mm²	SMD 3528	Si window
GUVA-T11GD	200 - 370 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window
GUVB-T11GD	200 - 320 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window
GUVA-S12GD	240 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 3528	silicon window
GUVA-S22ED	290 - 370 nm	0.16 mm²	SMD 1608	silicon/epoxy window
GUVC-T10GD	200 - 290 nm	0.16 mm²	TO-46	quartz window

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UV Sensor Modules GaN

UV Sensor Modules based on GaN

	Spectral range	Size	Note	Data sheet
GUVA-S22EM-3	290 - 370 nm	8 x 8 x 2 mm³	small size	request
GUVA-T11GM-LA	220 - 370 nm	28 x 17 x 9 mm²	basic	request
GUVA-T11GM-2	220 - 370 nm	36 x 22 x 7 mm²	adjustable gain	request

UV Photodiodes AlGaN

UV photodiodes based on AlGaN

	Spectral range	Chip size	Package	Note
GaN-UVA-SMD	220 - 370 nm	0.076 mm²	SMD 3228	peak at 350 nm
AlGaN-UVB	225 - 317 nm	0.076 mm²	TO-18	peak at 300 nm

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UV Photodiodes SIC

UV-photodiodes based on SiC (Silicon Carbide) are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness, versions with integrated UVA, UCB or UVC filters on request

	Spectral range	Active Area	Package	Note
SIC01S	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	peak at 285 nm
SIC01S-C	230 - 285 nm	0.054 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC01S-HAT	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	peak at 285 nm
SIC01S-ISO	210 - 380 nm	0.054 mm²	TO-18	pins are isolated
SIC01M	220 - 360 nm	0.22 mm²	TO-18	peak at 280 nm
SIC01M-C	230 - 285 nm	0.22 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC01M-LENS	220 - 360 nm	0.22 mm²	TO-39	flame detection
SIC01L-5	220 - 360 nm	0,96 mm²	TO-5	peak at 280 nm
SIC01L-18	220 - 360 nm	0,96 mm²	TO-18	peak at 280 nm
SIC01L-5-C	230 - 285 nm	0,96 mm²	TO-39	peak at 270 nm
SIC02S	210 - 380 nm	0.054 mm²	stainless steel V2A	peak at 285 nm
ERYF-STAR			TO-18	erythema sensor, for accurate sun-UV dosimetry

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UV Photodiodes SIC - large area arrays

UV photodiode array based on 4 parallel SiC detector chips for ultra low level UV radiation sensitivity, active area: 3.84 mm², peak response at 280 nm

	Spectral range	Chip size	Package	Note
SIC01L4-5	210 - 380 nm	3.84 mm²	TO-5	peak at 285 nm, Id 20 fA, 800 pF
SIC01L4-5-C	230 - 285 nm	3.84 mm²	TO-5	peak at 270 nm, Id 20 fA, 800 pF

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UV Photodiodes SIC with TIA

UV photodiode based on SiC with integrated transimpedance amplifier for ultra low level UV radiation detection, peak response at 280 nm

		Spectral range	Package	Note
	UV-TIAMO-BL	210 - 380 nm	TO-5	sensitivity 0.5V/nW, glass lens

UV Photodiodes GaP

UV photodiodes based on GaP

	Spectral range	Active Area	Package	Note
EPD-150-0/2.5	130 - 550 nm	4.8 mm²	TO-39	sapphire window
EPD-150-0/3.6	130 - 550 nm	10.9 mm²	TO-39	sapphire window
EPD-440-0/0.9	190 - 550 nm	0.51 mm²	TO-46
EPD-440-0/1.4	190 - 550 nm	1.2 mm²	TO-46
EPD-440-0/2.5	190 - 550 nm	4.8 mm²	TO-39
EPD-440-0/3.6	190 - 550 nm	10.9 mm²	TO-39
EPD-280-0-0.3-1	220 - 380 nm	0.056 mm²	TO-46
EPD-270-0-0.3-2	230 - 285 nm	0.056 mm²	TO-39
EPD-365-0/0.9	245 - 405 nm	0.51 mm²	TO-46	UG11 filter
EPD-365-0/1.4	245 - 405 nm	1.2 mm²	TO-46	UG11 filter
EPD-365-0/2.5	245 - 405 nm	4.8 mm²	TO-39	UG11 filter
EPD-365-0/3.6	245 - 405 nm	10.9 mm²	TO-39	UG11 filter
EPD-310-0-0.3-2	290 - 330 nm	0.056 mm²	TO-39
EPD-360-0-0.3-2	230 - 400 nm	0.056 mm²	TO-39

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UV Photodiodes TiO2

UV photodiodes based on thin film TiO2 sensor technology

	Spectral range	Package	Note
UVD39	225 - 380 nm	TO-39	peak at 300 nm, intrinsic visible blind
EryF	215 - 325 nm	TO-18	peak at 300 nm, intrinsic visible blind, erythema sensor DIN5050
TW30SX	215 - 387 nm	TO-18	peak at 300 nm, UV AB, intrinsic visible blind
TW30SY	215 - 387 nm	TO-39	peak at 300 nm, intrinsic visible blind
TW30DZ	253 - 361 nm	TO-46	peak at 300 nm, intrinsic visible blind
TW30DY	253 - 361 nm	TO-39	peak at 300 nm, intrinsic visible blind
TW30DY2	260 - 362 nm	TO-39	peak at 300 nm, UV AB, intrinsic visible blind
UV-sensor chip die 4.4 mm²			thin film sensor
UV-sensor chip die 15.66 mm²			thin film sensor

MOQ: 1 piece Roit

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是一家以短距离无线通讯产品研发、生产和销售为主的高科技公司，在无线射频通讯领域积累了多年的开发和应用经验，拥有强大的技术研发实力和丰富的产品开发生产经验，主要包括2.4G和1G以下频段系列无线通信模块、无线遥控、无线传感器网络、无线音频传输、无线通信网络等多种无线应用产品和整体解决方案。公司拥有多台频谱分析仪、信号发生器、网络分析仪等高频无线仪器设备，多年的积累形成了一套完整、严格的涵盖产品设计、生产实施和质量检测各个环节的全面产品管理体制，建立了从理论设计、物理建模、实时仿真到产品定型的化无线产品开发设计流程，所有的产品都拥有完整设计模型库，力求更、更全面、更精准地把握每个产品。公司始终坚持“质量稳定性优于技术指标”的产品设计思路，追求以的技能为客户提供最稳定的产品。是长期致力于射频（Radio Frequency）领域的性生产、研发、销售集一体的科技型企业，其业务涵盖无线射频集成电路（IC）销售，无线射频模块与发射遥控研发、生产与销售，以及接受客户模组模块化订制产品（OEM or ODM）。无线射频IC，目前是法国SYNOXO半导体公司的中国核心代理商，同时也是国内外多家知名射频IC原厂在中国区的设计中心和分销商。无线射频模块产品线，采用国际先进的射频和数字信号处理技术集成电路，以及公司在射频领域多年的研发和应用工程经验的积累，使得公司产品与同类型的产品相比，具有价位低、可靠性好、距离远、使用方便、无需申请频点等优点。其中部分产品可以过FCC/CE、ROHS等认证。公司产品应用广泛，其行业应用领域包括汽车电子RKE/PKE、BCM/ECU，电动门窗GDO、安防，智能家居控制，遥控智能控制，消费类无线遥控电子产品，无线数据传输等。经过多年不懈努力，我司已成为国内知名汽车厂家射频类产品供应商。公司拥有数字频谱仪、高频信号发生器，网络分析仪、高低温老化箱、屏蔽房等多部高频测试仪器，以及的无线电工程师，因此我们可以为客户提供更，更高效，更可靠，更快捷的产品和服务。我们不断致力于各种新产品的开发，以提供高质量及物美价廉的各型产品为目标。

深圳华高微电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东深圳
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 崔先生
电话：0755-82500251
传真：0755-82914956
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