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dzsc/19/4124/19412402.gif 火焰传感器/紫外线传感器/紫外线光敏管/紫外传感器/火焰探测器 | |||||
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日本滨松 |
UV-R2868 |
C3704 |
紫外光敏(电)管 |
dzsc/19/4124/19412402.jpg SSD-601 UV紫外线传感器 |
SSD-601 紫外线传感器 (插件式) . 简介SSD-601 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 2. 用途: a. 测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具); b. 紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用 消毒碗柜的消毒效率检验); 3. 特点: a. 对紫外线检测灵敏度高; b. 感应重复性高; c. 抗可见光干扰强; d. 体积微小; e. 寿命长; 4. 适用人士:长期从事户外工作的工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 5. 传感器参数
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dzsc/19/4124/19412402.jpg SSD-602 紫外线传感器 |
SSD-602 紫外线传感器 (贴片式) 1. 简介 SSD-602 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 2. 用途: a. 测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具); b. 紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用 消毒碗柜的消毒效率检验); 3. 特点: a. 对紫外线检测灵敏度高; b. 感应重复性高; c. 抗可见光干扰强; d. 体积微小; e. 寿命长; 4. 适用人士:长期从事户外工作的工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 5. 传感器参数
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UV-photodiodes based on GaN are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness
Spectral range | Chip size | Package | Note | |||
GUVA-S10GD | 200 - 370 nm | 0.16 mm² | SMD 3528 | Si window | ||
GUVB-S11GD | 200 - 320 nm | 0.16 mm² | SMD 3528 | Si window | ||
GUVA-T11GD | 200 - 370 nm | 0.16 mm² | TO-46 | quartz window | ||
GUVB-T11GD | 200 - 320 nm | 0.16 mm² | TO-46 | quartz window | ||
GUVA-S12GD | 240 - 370 nm | 0.16 mm² | SMD 3528 | silicon window | ||
GUVA-S22ED | 290 - 370 nm | 0.16 mm² | SMD 1608 | silicon/epoxy window | ||
GUVC-T10GD | 200 - 290 nm | 0.16 mm² | TO-46 | quartz window |
UV Sensor Modules based on GaN
Spectral range | Size | Note | Data sheet | ||
GUVA-S22EM-3 | 290 - 370 nm | 8 x 8 x 2 mm³ | small size | request | |
GUVA-T11GM-LA | 220 - 370 nm | 28 x 17 x 9 mm² | basic | request | |
GUVA-T11GM-2 | 220 - 370 nm | 36 x 22 x 7 mm² | adjustable gain | request |
UV photodiodes based on AlGaN
Spectral range | Chip size | Package | Note | |||
GaN-UVA-SMD | 220 - 370 nm | 0.076 mm² | SMD 3228 | peak at 350 nm | ||
AlGaN-UVB | 225 - 317 nm | 0.076 mm² | TO-18 | peak at 300 nm |
UV-photodiodes based on SiC (Silicon Carbide) are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness, versions with integrated UVA, UCB or UVC filters on request
Spectral range | Active Area | Package | Note | |||
SIC01S | 210 - 380 nm | 0.054 mm² | TO-18 | peak at 285 nm | ||
SIC01S-C | 230 - 285 nm | 0.054 mm² | TO-39 | peak at 270 nm | ||
SIC01S-HAT | 210 - 380 nm | 0.054 mm² | TO-18 | peak at 285 nm | ||
SIC01S-ISO | 210 - 380 nm | 0.054 mm² | TO-18 | pins are isolated | ||
SIC01M | 220 - 360 nm | 0.22 mm² | TO-18 | peak at 280 nm | ||
SIC01M-C | 230 - 285 nm | 0.22 mm² | TO-39 | peak at 270 nm | ||
SIC01M-LENS | 220 - 360 nm | 0.22 mm² | TO-39 | flame detection | ||
SIC01L-5 | 220 - 360 nm | 0,96 mm² | TO-5 | peak at 280 nm | ||
SIC01L-18 | 220 - 360 nm | 0,96 mm² | TO-18 | peak at 280 nm | ||
SIC01L-5-C | 230 - 285 nm | 0,96 mm² | TO-39 | peak at 270 nm | ||
SIC02S | 210 - 380 nm | 0.054 mm² | stainless steel V2A | peak at 285 nm | ||
ERYF-STAR | TO-18 | erythema sensor, for accurate sun-UV dosimetry |
UV photodiode array based on 4 parallel SiC detector chips for ultra low level UV radiation sensitivity, active area: 3.84 mm², peak response at 280 nm
Spectral range | Chip size | Package | Note | |||
SIC01L4-5 | 210 - 380 nm | 3.84 mm² | TO-5 | peak at 285 nm, Id 20 fA, 800 pF | ||
SIC01L4-5-C | 230 - 285 nm | 3.84 mm² | TO-5 | peak at 270 nm, Id 20 fA, 800 pF |
UV photodiode based on SiC with integrated transimpedance amplifier for ultra low level UV radiation detection, peak response at 280 nm
Spectral range | Package | Note | |||
UV-TIAMO-BL | 210 - 380 nm | TO-5 | sensitivity 0.5V/nW, glass lens |
UV photodiodes based on GaP
Spectral range | Active Area | Package | Note | |||
EPD-150-0/2.5 | 130 - 550 nm | 4.8 mm² | TO-39 | sapphire window | ||
EPD-150-0/3.6 | 130 - 550 nm | 10.9 mm² | TO-39 | sapphire window | ||
EPD-440-0/0.9 | 190 - 550 nm | 0.51 mm² | TO-46 | |||
EPD-440-0/1.4 | 190 - 550 nm | 1.2 mm² | TO-46 | |||
EPD-440-0/2.5 | 190 - 550 nm | 4.8 mm² | TO-39 | |||
EPD-440-0/3.6 | 190 - 550 nm | 10.9 mm² | TO-39 | |||
EPD-280-0-0.3-1 | 220 - 380 nm | 0.056 mm² | TO-46 | |||
EPD-270-0-0.3-2 | 230 - 285 nm | 0.056 mm² | TO-39 | |||
EPD-365-0/0.9 | 245 - 405 nm | 0.51 mm² | TO-46 | UG11 filter | ||
EPD-365-0/1.4 | 245 - 405 nm | 1.2 mm² | TO-46 | UG11 filter | ||
EPD-365-0/2.5 | 245 - 405 nm | 4.8 mm² | TO-39 | UG11 filter | ||
EPD-365-0/3.6 | 245 - 405 nm | 10.9 mm² | TO-39 | UG11 filter | ||
EPD-310-0-0.3-2 | 290 - 330 nm | 0.056 mm² | TO-39 | |||
EPD-360-0-0.3-2 | 230 - 400 nm | 0.056 mm² | TO-39 |
高速PN、PIN、APD光电探测器 产品规格: PN、PIN 、 APD、PbS、PbSe、HgCdTe 产品介绍: 商运达公司提供新一代高性能紫外、可见光、红外光电探测器和组件,服务于商用,军事/航空,医疗,和消费类市场。产品分类: 一、InGaAsAPD/PIN光电探测器: 1、InGaAsAPD光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,人眼安全激光测距机等。 型号:C30644E、C30645E、C30733、C30662E 2、InGaAsPIN(小面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,仪表等。 型号:C30616E、C30637E 3、InGaAsPIN(大面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量窗口以及光纤封装。典型应用于光功率表,人眼安全激光通信,仪表等...
激光二极管 产品规格: PGEW2S09,DPGAS系列 产品介绍: 商运达公司提供的大功率脉冲激光二极管,这种器件的波长在850nm到1550nm之间,提供可靠的高功率光输出能力,以及在温度升高时,保持功率恒定输出,905nm脉冲激光器常应用于激光测距。 一、典型应用: ·激光测距仪 ·激光雷达 ·激光焊接 ·高速光交换机 ·武器仿真 ·激光扫描 ·光纤仪器仪表 ·YAG激光仿真 二、产品分类: ·PFAS系列(850nm) ·PGAS、DPGAS、TPGAS系列(905nm) ·PGEW系列(905nm) ·PVGR系列(1550nm) ·C86118E、C86155E-10、C86159E-09(980nm) ·C86153E-12、C86119E、C86120E-10(850nm、1064nm) 三、激光测距方案: 1、激光器:PGEW2S09、PGEW3S09 2、雪崩探测器:C30724E、C30737系列、C30659系列 另外,我们还提供1W以上,75W、120W、140W、210W等905nm高能脉冲激光器,并提供相关的技术支持,有问题请随时咨询商运达电子有限公司!!! ...