乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。
概述
FNk4421栅极电荷和低操作与栅极电压低至1.0V.
特点
●能够做的铜焊线
应用
●注意书的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●DSC 这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用
从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中,多晶硅栅已经不是主流技术,从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始,栅极开始重新使用金属。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 概述 FNk4421栅极电荷和低操作与栅极电压低至1.0V. 特点 ●能够做的铜焊线 应用 ●注意书的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●负荷开关 ●DSC 这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 主要参数 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS. 交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS. 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。 场效应管的作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。...