FNK4421|场效应管批发
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4421 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
主要参数
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS.
交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS.
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
场效应管的作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK4421|场效应管热卖
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 主要参数 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS. 交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS. 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 场效应管的分类 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 ...
FNK10N25E|MOSFET的电路符号
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET主要参数 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS. 交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS. 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 MOSFET的电路符号 常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mod...
