乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
主要参数
电阻法测好坏
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。 主要参数 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V. 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,...
乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 主要参数 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V. 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始...