FNK9926C|场效应管管脚识别
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK9926C | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
FNK9926C的产品介绍
本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。
结型场管脚识别
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK9926C|大量批发MOS管
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK9926C的产品介绍 本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。 场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
FNK9926C|MOSFET厂家生产
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 FNK9926C的产品介绍 本产品采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。他们在很宽的栅极驱动范围从1.8V提供操作8V.这两个设备的可单独使用，在平行或形成双向无阻塞交换。 随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的积体电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位积体电路上就有很大的竞争优势，在类比积体电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合讯号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。
