FNK2302A|场效应管适合用于电池保护
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK2302A | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT23-3 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
FNK2302A的产品说明
FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
一般特点
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
估测放大能力
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
FNK2302A|MOS管表面贴装封装
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK2302A的产品说明 FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1~3pF ·CDS约在0.1~1pF之间 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VD...
FNK2302A|MOSFET应用电源管理
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK2302A的产品说明 FN2302A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 各种常见的MOSFET技术 双栅极MOSFET 双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency,RF）积体电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。 耗尽型MOSFET 一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压。耗尽型MOSFET的应用是在"常关型"（normally-off）...
