乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。
FNK2302的产品说明
MOS管FNK2302采用先进沟道技术,提供优良的Rds(on),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。
一般特点
◆VDS =20V)ID=4.0A的Rds(on)的<38 MO@ VGS=2.5V的Rds(on)的<32 MO@ VGS= 4.5V
◆高功率和电流移交能力
◆无铅产品被收购
◆表面贴装封装
应用
◆电池保护
◆负荷开关
◆电源管理
MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流(DC)讯号而言,MOSFET的栅极端阻抗为无限大(等效于开路),也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点,而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电,而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里,除了负责驱动芯片外负载(off-chip load)的驱动器(driver)外,每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极,如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下,BJT的逻辑电路(例如最常见的TTL)就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点,例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应(loading effect)。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK2302A的产品说明 FN2302A采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。
乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。 FNK2302A的产品说明 FN2302A采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 估测放大能力 将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管...