乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。
FNK2310的产品说明
FN2310采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。
FNK2310的特点
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
标志和引脚分配
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FN2301的产品说明 FN2301采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管的测量方法 电阻法测好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大...
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。 FN2301的产品说明 FN2301采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管的测量方法 测放大能力 用感应信号法具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如...