FNK2301|场效应管的测量方法
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK2301 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT23-3 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
FN2301的产品说明
FN2301采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
一般特点
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
场效应管的测量方法
测放大能力
用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
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FNK2301|MOSFET的应用优势
信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FN2301的产品说明 FN2301采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的应用优势 MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT. 由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多类...
FNK2301|MOSFET的操作原理
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FN2301的产品说明 FN2301采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 一般特点 ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的操作原理 MOSFET的核心：金属-氧化层-半导体电容 金属-氧化层-半导体结构MOSFET在结构上以一个金属-氧化层-半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。 当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变...
