FNK06N02D|MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK06N02D | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
FNK06N02D的特性与应用
特点
●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V
●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V
●超高密度电池设计极低的RDS（ON）
●卓越的导通电阻和DC电流
能力
●能够做的铜焊线
应用
●注意书的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●DSC
MOSFET的电路符号
常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
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FNK06N02D|MOSFET批发
信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK06N02D的特性与应用 特点 ●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V ●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V ●超高密度电池设计极低的RDS（ON） ●卓越的导通电阻和DC电流 能力 ●能够做的铜焊线 应用 ●注意书的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●负荷开关 ●DSC MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
FNK06N02D|MOS管参数
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 概述 它9is N沟道逻辑增强模式电源场效应晶体管都采用高密度，DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适合限度地减少通态电阻。这些器件特别适用对于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电的电路高侧开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小外形表面贴装封装。 FNK06N02D的特性与应用 特点 ●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V ●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V ●超高密度电池设计极低的RDS（ON） ●卓越的导通电阻和DC电流 能力 ●能够做的铜焊线 应用 ●注意书的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●负荷开关 ●DSC 场效应管的主要参数 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个...
