FNK06N02D|MOS管参数
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK06N02D | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
概述
它9is N沟道逻辑增强模式电源场效应晶体管都采用高密度，DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适合限度地减少通态电阻。这些器件特别适用对于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电的电路高侧开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小外形表面贴装封装。
FNK06N02D的特性与应用
特点
●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V
●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V
●超高密度电池设计极低的RDS（ON）
●卓越的导通电阻和DC电流
能力
●能够做的铜焊线
应用
●注意书的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●DSC
场效应管的主要参数
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS.
交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS.
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
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FNK06N02D|场效应管价格
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 概述 它9is N沟道逻辑增强模式电源场效应晶体管都采用高密度，DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适合限度地减少通态电阻。这些器件特别适用对于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电的电路高侧开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小外形表面贴装封装。 FNK06N02D的特性与应用 特点 ●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V ●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V ●超高密度电池设计极低的RDS（ON） ●卓越的导通电阻和DC电流 能力 ●能够做的铜焊线 应用 ●注意书的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●负荷开关 ●DSC 场效应管的工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极...
FNK06N02D|场效应管
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 FNK06N02D的概述 它9is N沟道逻辑增强模式电源场效应晶体管都采用高密度，DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适合限度地减少通态电阻。这些器件特别适用对于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电的电路高侧开关和低线的功率损耗，需要在一个非常小外形表面贴装封装。 FNK06N02D的特性与应用 特点 ●RDS（ON）≦8.mΩ@ VGS= 4.5V ●RDS（ON）≦MΩ@ VGS= 2.5V ●超高密度电池设计极低的RDS（ON） ●卓越的导通电阻和DC电流 能力 ●能够做的铜焊线 应用 ●注意书的电源管理 ●便携式设备 ●电池供电系统 ●负荷开关 ●DSC
