乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
MOSFET的参数介绍
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
Drain-Source Voltage |
VDS |
-55 |
V |
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
Pulsed Drain Current |
IDM |
110 |
A |
Maximum Power Dissipation |
PD |
90 |
W |
Derating factor |
|
0.72 |
W/℃ |
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Off Characteristics |
||||||
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-55 |
- |
- |
V |
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-55V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
On Characteristics (Note 3) |
||||||
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-2 |
-3 |
-4 |
V |
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-15A |
- |
30 |
40 |
mΩ |
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-25V,ID=-16A |
8 |
- |
- |
S |
Dynamic Characteristics (Note4) |
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有著显著的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式(planar)的结构,晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率元件都是垂直式(vertical)的结构,让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层(epitaxial layer)厚度的函数,而能通过的电流则和元件的通道宽度有关,通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言,能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说,元件的面积和其能容纳的电流成大约成正比,磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。
乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...