中低压mosfet耐压|高品质
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-55 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
110 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
90 |
W |
|
Derating factor |
|
0.72 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-55 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-55V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-2 |
-3 |
-4 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-15A |
- |
30 |
40 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-25V,ID=-16A |
8 |
- |
- |
S |
|
Dynamic Characteristics (Note4) |
||||||
值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类元件主要用在的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。
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高压mosfet品牌|口碑好
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...
高压mosfet价格|性价比高
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...
