中低压mosfet生产商|厂家生产
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4030PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
mosfet管的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
||
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
||
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
||
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
||
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-100 |
A |
||
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
||
|
Derating factor |
0.32 |
W/℃ |
|||
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
||
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
||
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
中低压mosfet直销商|厂家供货稳定
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) ...
中低压mosfet选型|无铅环保型
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
