中低压mosfet价格|热稳定性好
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4030PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
mosfet管的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
||
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
||
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
||
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
||
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-100 |
A |
||
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
||
|
Derating factor |
0.32 |
W/℃ |
|||
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
||
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
||
MOSFET的电路符号
常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
- 所属城市：广东 惠州
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中低压mosfet品牌|制造工艺简单
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current ...
中低压mosfet报价，工厂生产mos管|价格批发
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) ...
