价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 600-650V | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | 全系列 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 |
乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
500V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N50AL | TO-220 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
FNKS08N50BL | TO-220F | 500 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N50CL | TO-251 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N50DL | TO-252 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N50EL | TO-263 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS11N50AL | TO-220 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N50BL | TO-220F | 500 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N50EL | TO-263 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N50FL | TO-247 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS20N50AL | TO-220 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N50BL | TO-220F | 500 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N50FL | TO-247 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
600V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N60AL | TO-220 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
FNKS08N60BL | TO-220F | 600 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N60CL | TO-251 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N60DL | TO-252 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N60EL | TO-263 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS11N60AL | TO-220 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N60BL | TO-220F | 600 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N60EL | TO-263 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N60FL | TO-247 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS20N60AL | TO-220 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N60BL | TO-220F | 600 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N60FL | TO-247 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS21N60AL | TO-220 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
FNKS21N60BL | TO-220F | 600 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
FNKS21N60FL | TO-247 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
650V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N65AL | TO-220 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
FNKS08N65BL | TO-220F | 650 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N65CL | TO-251 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N65DL | TO-252 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS08N65EL | TO-263 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
FNKS11N65AL | TO-220 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N65BL | TO-220F | 650 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N65EL | TO-263 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS11N65FL | TO-247 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
FNKS20N65AL | TO-220 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N65BL | TO-220F | 650 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS20N65FL | TO-247 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
FNKS21N65AL | TO-220 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
FNKS21N65BL | TO-220F | 650 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
FNKS21N65FL | TO-247 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 |
场效应管的应用特点
场效应管与三极管的各自应用特点
1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC.
3.场效应管栅极几乎不取电流(ig»0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4.场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
5.场效应管在源极水与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b值将减小很多。
6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current ...
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current ...