乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。

 

产品参数

Product Major INormation							VTH	Ron(10V)(mΩ)		Ron(4.5V) (mΩ)		Ron(2.5V) (mΩ)
N/P Voltage	Product Name	Assembly	BVDSS Min(V)	ID(A)25℃	PW (W)25℃	Vgs(V)	Typ	Typ	Max	Typ	Max	Typ	Max
500V SJ-MOS N系列	FNKS08N50AL	TO-220	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50BL	TO-220F	500	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N50CL	TO-251	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50DL	TO-252	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50EL	TO-263	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N50AL	TO-220	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50BL	TO-220F	500	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N50EL	TO-263	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50FL	TO-247	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N50AL	TO-220	500	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N50BL	TO-220F	500	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N50FL	TO-247	500	20	208	30	4	180	210
600V SJ-MOS N系列	FNKS08N60AL	TO-220	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60BL	TO-220F	600	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N60CL	TO-251	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60DL	TO-252	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60EL	TO-263	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N60AL	TO-220	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60BL	TO-220F	600	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N60EL	TO-263	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60FL	TO-247	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N60AL	TO-220	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N60BL	TO-220F	600	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N60FL	TO-247	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N60AL	TO-220	600	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N60BL	TO-220F	600	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N60FL	TO-247	600	21	200	30	3	170	200
650V SJ-MOS N系列	FNKS08N65AL	TO-220	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65BL	TO-220F	650	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N65CL	TO-251	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65DL	TO-252	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65EL	TO-263	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N65AL	TO-220	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65BL	TO-220F	650	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N65EL	TO-263	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65FL	TO-247	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N65AL	TO-220	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N65BL	TO-220F	650	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N65FL	TO-247	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N65AL	TO-220	650	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N65BL	TO-220F	650	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N65FL	TO-247	650	21	200	30	3	170	200

 

　　场效应管的测量方法
　　电阻法测电极
　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个
　　电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
　　电阻法测好坏
　　测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
　　测放大能力
　　用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
　　根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
　　运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
　　无标示管的判别
　　首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D,余下
　　场效应管
　　两个脚为栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是S极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
　　判断跨导的大小
　　测反向电阻值的变化判断跨导的大小。对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
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　　场效应管的判断方法
　　结型场管脚识别
　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
　　判定栅极
　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
　　估测放大能力
　　将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
　　本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
　　MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。

FNK-TECH 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。公司成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8”芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 　　公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 　　公司在中国大陆（无锡、上海、惠州、中山等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。