超结mosfet分类，厂家现货批发超结mos管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 600-650V | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
| Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
|
N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
|
500V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N50AL | TO-220 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N50BL | TO-220F | 500 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50CL | TO-251 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50DL | TO-252 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50EL | TO-263 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N50AL | TO-220 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50BL | TO-220F | 500 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50EL | TO-263 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50FL | TO-247 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N50AL | TO-220 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50BL | TO-220F | 500 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50FL | TO-247 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
|
600V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N60AL | TO-220 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N60BL | TO-220F | 600 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60CL | TO-251 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60DL | TO-252 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60EL | TO-263 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N60AL | TO-220 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60BL | TO-220F | 600 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60EL | TO-263 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60FL | TO-247 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N60AL | TO-220 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60BL | TO-220F | 600 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60FL | TO-247 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N60AL | TO-220 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60BL | TO-220F | 600 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60FL | TO-247 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
|
650V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N65AL | TO-220 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N65BL | TO-220F | 650 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65CL | TO-251 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65DL | TO-252 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65EL | TO-263 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N65AL | TO-220 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65BL | TO-220F | 650 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65EL | TO-263 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65FL | TO-247 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N65AL | TO-220 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65BL | TO-220F | 650 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65FL | TO-247 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N65AL | TO-220 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65BL | TO-220F | 650 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65FL | TO-247 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
场效应管的分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理（以N沟道结型场效应管为例），N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少，以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
超结mosfet原理，现货批发超结mos管|工作原理
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
超结mosfet耐压，生产批发超结mos管耐压好|抗辐射能力强|
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...
