超结mosfet功率，原厂包装超结mos管

价格：		面议
型号/规格：		600-650V
品牌/商标：		FNK
封装形式：		全系列
环保类别：		无铅环保型
安装方式：		直插式
包装方式：		盒带编带包装

详细介绍
企业详情

　　乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

产品参数

Product Major INormation							VTH	Ron(10V)(mΩ)		Ron(4.5V) (mΩ)		Ron(2.5V) (mΩ)
N/P Voltage	Product Name	Assembly	BVDSS Min(V)	ID(A)25℃	PW (W)25℃	Vgs(V)	Typ	Typ	Max	Typ	Max	Typ	Max
500V SJ-MOS N系列	FNKS08N50AL	TO-220	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50BL	TO-220F	500	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N50CL	TO-251	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50DL	TO-252	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50EL	TO-263	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N50AL	TO-220	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50BL	TO-220F	500	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N50EL	TO-263	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50FL	TO-247	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N50AL	TO-220	500	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N50BL	TO-220F	500	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N50FL	TO-247	500	20	208	30	4	180	210
600V SJ-MOS N系列	FNKS08N60AL	TO-220	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60BL	TO-220F	600	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N60CL	TO-251	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60DL	TO-252	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60EL	TO-263	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N60AL	TO-220	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60BL	TO-220F	600	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N60EL	TO-263	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60FL	TO-247	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N60AL	TO-220	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N60BL	TO-220F	600	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N60FL	TO-247	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N60AL	TO-220	600	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N60BL	TO-220F	600	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N60FL	TO-247	600	21	200	30	3	170	200
650V SJ-MOS N系列	FNKS08N65AL	TO-220	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65BL	TO-220F	650	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N65CL	TO-251	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65DL	TO-252	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65EL	TO-263	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N65AL	TO-220	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65BL	TO-220F	650	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N65EL	TO-263	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65FL	TO-247	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N65AL	TO-220	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N65BL	TO-220F	650	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N65FL	TO-247	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N65AL	TO-220	650	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N65BL	TO-220F	650	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N65FL	TO-247	650	21	200	30	3	170	200

　　今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

　　导电：在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引到栅极下面的P区表面

惠州市乾野电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东惠州
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 吉先生
电话：0752-7777240
传真：0752-7777695
手机：13380690588
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信息内容：

乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售，并取得国内和国际的多项技术。产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max ...

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