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超结mosfet封装,生产批发超结mos管|编带包装

价 格: 面议
型号/规格:600-650V
品牌/商标:FNK
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装

  乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation   VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product Name Assembly BVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max Typ Max
    500V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N50AL TO-220 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50BL TO-220F 500 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N50CL TO-251 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50DL TO-252 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50EL TO-263 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N50AL TO-220 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N50BL TO-220F 500 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N50EL TO-263 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N50FL TO-247 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N50AL TO-220 500 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N50BL TO-220F 500 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N50FL TO-247 500 20 208 30 4 180 210        
    600V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N60AL TO-220 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60BL TO-220F 600 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N60CL TO-251 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60DL TO-252 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60EL TO-263 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N60AL TO-220 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N60BL TO-220F 600 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N60EL TO-263 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N60FL TO-247 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N60AL TO-220 600 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N60BL TO-220F 600 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N60FL TO-247 600 20 208 30 4 180 210        
    FNKS21N60AL TO-220 600 21 200 30 3 170 200        
    FNKS21N60BL TO-220F 600 21 34 30 3 170 200        
    FNKS21N60FL TO-247 600 21 200 30 3 170 200        
    650V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N65AL TO-220 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65BL TO-220F 650 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N65CL TO-251 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65DL TO-252 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65EL TO-263 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N65AL TO-220 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N65BL TO-220F 650 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N65EL TO-263 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N65FL TO-247 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N65AL TO-220 650 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N65BL TO-220F 650 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N65FL TO-247 650 20 208 30 4 180 210        
    FNKS21N65AL TO-220 650 21 200 30 3 170 200        
    FNKS21N65BL TO-220F 650 21 34 30 3 170 200        
    FNKS21N65FL TO-247 650 21 200 30 3 170 200        

     

      在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

    惠州市乾野电子有限公司
    公司信息未核实
    • 所属城市:广东 惠州
    • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
    • 联系人: 吉先生
    • 电话:0752-7777240
    • 传真:0752-7777695
    • 手机:13380690588
    • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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