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超结mosfet生产商,高品质超结mosfet生产商直销

价 格: 面议
型号/规格:600-650V
品牌/商标:FNK
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装

  乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation   VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product Name Assembly BVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max Typ Max
    500V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N50AL TO-220 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50BL TO-220F 500 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N50CL TO-251 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50DL TO-252 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N50EL TO-263 500 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N50AL TO-220 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N50BL TO-220F 500 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N50EL TO-263 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N50FL TO-247 500 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N50AL TO-220 500 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N50BL TO-220F 500 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N50FL TO-247 500 20 208 30 4 180 210        
    600V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N60AL TO-220 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60BL TO-220F 600 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N60CL TO-251 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60DL TO-252 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N60EL TO-263 600 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N60AL TO-220 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N60BL TO-220F 600 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N60EL TO-263 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N60FL TO-247 600 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N60AL TO-220 600 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N60BL TO-220F 600 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N60FL TO-247 600 20 208 30 4 180 210        
    FNKS21N60AL TO-220 600 21 200 30 3 170 200        
    FNKS21N60BL TO-220F 600 21 34 30 3 170 200        
    FNKS21N60FL TO-247 600 21 200 30 3 170 200        
    650V
    SJ-MOS
    N系列
    FNKS08N65AL TO-220 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65BL TO-220F 650 7.8 32 30 4 570 650        
    FNKS08N65CL TO-251 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65DL TO-252 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS08N65EL TO-263 650 7.8 83 30 4 570 650        
    FNKS11N65AL TO-220 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N65BL TO-220F 650 11 33 30 4 370 410        
    FNKS11N65EL TO-263 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS11N65FL TO-247 650 11 125 30 4 370 410        
    FNKS20N65AL TO-220 650 20 208 30 4 180 210        
    FNKS20N65BL TO-220F 650 20 34.5 30 4 180 210        
    FNKS20N65FL TO-247 650 20 208 30 4 180 210        
    FNKS21N65AL TO-220 650 21 200 30 3 170 200        
    FNKS21N65BL TO-220F 650 21 34 30 3 170 200        
    FNKS21N65FL TO-247 650 21 200 30 3 170 200        

     

      MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。

    惠州市乾野电子有限公司
    公司信息未核实
    • 所属城市:广东 惠州
    • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
    • 联系人: 吉先生
    • 电话:0752-7777240
    • 传真:0752-7777695
    • 手机:13380690588
    • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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