超结mosfet管，工厂生产批发超结mos管|原包装

价格：		面议
型号/规格：		600-650V
品牌/商标：		FNK
封装形式：		全系列
环保类别：		无铅环保型
安装方式：		直插式
包装方式：		盒带编带包装

详细介绍
企业详情

　　乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。

产品参数

Product Major INormation							VTH	Ron(10V)(mΩ)		Ron(4.5V) (mΩ)		Ron(2.5V) (mΩ)
N/P Voltage	Product Name	Assembly	BVDSS Min(V)	ID(A)25℃	PW (W)25℃	Vgs(V)	Typ	Typ	Max	Typ	Max	Typ	Max
500V SJ-MOS N系列	FNKS08N50AL	TO-220	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50BL	TO-220F	500	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N50CL	TO-251	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50DL	TO-252	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N50EL	TO-263	500	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N50AL	TO-220	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50BL	TO-220F	500	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N50EL	TO-263	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N50FL	TO-247	500	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N50AL	TO-220	500	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N50BL	TO-220F	500	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N50FL	TO-247	500	20	208	30	4	180	210
600V SJ-MOS N系列	FNKS08N60AL	TO-220	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60BL	TO-220F	600	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N60CL	TO-251	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60DL	TO-252	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N60EL	TO-263	600	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N60AL	TO-220	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60BL	TO-220F	600	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N60EL	TO-263	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N60FL	TO-247	600	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N60AL	TO-220	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N60BL	TO-220F	600	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N60FL	TO-247	600	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N60AL	TO-220	600	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N60BL	TO-220F	600	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N60FL	TO-247	600	21	200	30	3	170	200
650V SJ-MOS N系列	FNKS08N65AL	TO-220	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65BL	TO-220F	650	7.8	32	30	4	570	650
	FNKS08N65CL	TO-251	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65DL	TO-252	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS08N65EL	TO-263	650	7.8	83	30	4	570	650
	FNKS11N65AL	TO-220	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65BL	TO-220F	650	11	33	30	4	370	410
	FNKS11N65EL	TO-263	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS11N65FL	TO-247	650	11	125	30	4	370	410
	FNKS20N65AL	TO-220	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS20N65BL	TO-220F	650	20	34.5	30	4	180	210
	FNKS20N65FL	TO-247	650	20	208	30	4	180	210
	FNKS21N65AL	TO-220	650	21	200	30	3	170	200
	FNKS21N65BL	TO-220F	650	21	34	30	3	170	200
	FNKS21N65FL	TO-247	650	21	200	30	3	170	200

　 MOSFET的对比
　　Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz.

惠州市乾野电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东惠州
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 吉先生
电话：0752-7777240
传真：0752-7777695
手机：13380690588
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