mosfet工作原理，mosfet管价格|MOSFET电路符号
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
| Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
|
N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
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500V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N50AL | TO-220 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N50BL | TO-220F | 500 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50CL | TO-251 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50DL | TO-252 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50EL | TO-263 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N50AL | TO-220 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50BL | TO-220F | 500 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50EL | TO-263 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50FL | TO-247 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N50AL | TO-220 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50BL | TO-220F | 500 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50FL | TO-247 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
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600V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N60AL | TO-220 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N60BL | TO-220F | 600 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60CL | TO-251 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60DL | TO-252 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60EL | TO-263 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N60AL | TO-220 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60BL | TO-220F | 600 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60EL | TO-263 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60FL | TO-247 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N60AL | TO-220 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60BL | TO-220F | 600 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60FL | TO-247 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N60AL | TO-220 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60BL | TO-220F | 600 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60FL | TO-247 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
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650V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N65AL | TO-220 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N65BL | TO-220F | 650 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65CL | TO-251 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65DL | TO-252 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65EL | TO-263 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N65AL | TO-220 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65BL | TO-220F | 650 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65EL | TO-263 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65FL | TO-247 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N65AL | TO-220 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65BL | TO-220F | 650 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65FL | TO-247 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N65AL | TO-220 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65BL | TO-220F | 650 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65FL | TO-247 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET.箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS（代表此元件的通道为p-type）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为p-type,而通道为n-type,此元件为n-type的MOSFET,简称NMOS.在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
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mosfet管，厂商大批量生产mosfet管|货源稳定
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) ...
中低压MOSFET, 中低压场效应管|MOSFET管
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current ...
