mosfet厂家，mosfet厂家生产批发
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
场效应管的主要参数
Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
Ut - 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM - 耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
IDSM - 漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM
MOSFET的介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 场效应管的主要参数 Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 Ut - 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM - 耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 IDSM - 漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效...
mosfet报价，厂家批发mosfet管|绝缘栅极场效晶体管
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 场效应管的主要参数 Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 Ut - 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM - 耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 IDSM - 漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（I...
