价 格: | 0.90 | |
型号/规格: | NTF2955T1G | |
品牌/商标: | ON(安森美) | |
封装形式: | SOT-223/SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
NTF2955T1G - 安森美半导体功率MOSFET
NTD2955T1G - 安森美半导体功率MOSFET
功率MOSFET
-60 V,-2.6 A,单P沟道SOT-223
特点
TMOS7设计的低RDS(on)
可承受高能量,在雪崩和通讯模式
应用
电源供应器
PWM电机控制
氠抏档
电源管理
额定值(TJ= 25°C除非另有说明)
茂达 P沟道场效应管系列:
APM3095P,APM3095 茂达 SOT-252 P场 -30V -6A
TOSHIBA/东芝 P沟道场效应管系列:
TPC6103,SOT-23-6, -12V, -5.5A,0.035Ω
2SJ377-Z,2SJ377,J377-Z,J377 TOSHIBA SOT-252 P场 -60V -5A
2SJ439-Z,2SJ439,J439-Z,J439 TOSHIBA SOT-252 P场 -16V -5A
VISHAY/威士 P沟道场效应管系列:
SUM110P04-04L-E3,SUM110P04,110P04 VISHAY SOT-263 P场 -40V -110A
SUP75P05-08,SUP75P05,75P05 VISHAY TO-220 P场 -50V -75A
SUP75P03-07,SUP75P03,75P03 VISHAY TO-220 P场 -30V -75A
SUP65P04-15-E3,SUP65P04,65P04 VISHAY TO-220 P场 -40V -65A
SI4467DY-T1,SI4467DY,SI4467 VISHAY SOP-8 P场 -12V -12A
SANYO/三洋 P沟道场效应管系列:
2SJ653,J653,SANYO,-60V,-37A,P MOS,25mΩ
2SJ634,J634 SANYO SOT-252 P场 -60V -8A
2SJ591,J591 SANYO TO-220F P场 -60V -28A
2SJ652,J652 SANYO TO-220F P场 -60V -28A
2SJ653,J653 SANYO TO-220F P场 -60V -37A
NTF2955T1G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-100T1G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-100T3G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-100T3LFG | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-160T1G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-160T3G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-160T3LFG | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L108T1G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L108T3G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L108T3LFG | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L175T1G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L175T3G | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L175T3LFG | ON | 11+ | SOT-223 |
NTD4302T4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD4302T4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD4N60T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD5N50T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD60N02RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD60N02RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD60N03T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD6N40T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD70N03RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD70N03RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD70N03T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD85N02T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD8N06T4 | ON | 11+ | SOT-252 |
NTD95N02RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTD95N02RT4 | ON | 11+ | DPAK |
NTF2955T3 | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-100T3 | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-100T3LF | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-160T3 | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055-160T3LF | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L108T3 | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L108T3LF | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L175T3 | ON | 11+ | SOT-223 |
NTF3055L175T3LF | ON | 11+ | SOT-223 |
809/810 三管脚,微处理器复位芯片 概述 809/810是一种单一功能的微处理器复位芯片,用于监控微控制器和其他逻辑系统的电源电压。它可以在上电、掉电和节电情况下向微控制器提供复位信号。当电源电压低于预设的门槛电压时,器件会发出复位信号,直到在一段时间内电源电压又恢复到高于门槛电压为止。 809有低电平有效的复位输出,而810有高电平有效的复位输出。 典型值是17μA的低电源电流使809/810能理想地用于便携式、电池供电的设备。它们使用3管脚的SOT23封装。 特性 监控5.0V、3.3V、3V电源; 复位延时时间最小为140ms; 低电平有效的 输出(809); 高电平有效的RESET输出(810); 抗电源的瞬态干扰; 低至1.1V电源时仍能产生有效的复位信号; 小型的三管脚SOT-23封装; 无需外部配件; 适用于-40℃~+105℃的温度范围。 应用 嵌入式控制器 电池供电系统 无线通讯系统 PDA和手持式设备 公司主营:被动元器件全系,三星电容、村田电容、TDK电容、风华电容、LED发光二极管、今台发光二极管、欧司朗发光二极管、亿光发光二极管、光宝发光二极管、AVX钽电容、KEMET钽电容、基美钽电容、NEC钽电容、VISHAY钽电容、电容...
VND14NV04 - “OMNIFET II”:完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体 VNB14NV04 - “OMNIFET II”:完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体 VNP14NV04 - “OMNIFET II”:完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体 线性电流限制 热吹 短电路保护 列印一体化夹持 N低电流输入PIN绘制 通过输入列印诊断反馈 PIN码 列印的ESD保护 直接访问“的大门 功率MOSFET(模拟驾驶) 列印与标准功率兼容 MOSFET的 描述 VNB14NV04,VND14NV04,VND14NV04-1, VNP14NV04,VNS14NV04,是单片 意法半导体VIPower设计的设备 M0-3技术,用于更换 从直流到50kHz的标准功率MOSFET 应用。内置热关断,线性 电流限制|和过电压钳位保护 在恶劣环境下的芯片。 通过监测,可以检测到故障反馈 在输入引脚的电压。 VND10N06-1 ST 09+ SOT-251 VND10N06 ST 09+ SOT-252 VND10N06TR ST 09+ SOT-252 VND14NV04-1 ...