供应ST场效应管VND14NV04价格,意法场效应管VND14NV04代理
| 价 格： | 2.70 | |
| 型号/规格： | VND14NV04 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | SOT252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
VND14NV04 - “OMNIFET II”：完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体
VNB14NV04 - “OMNIFET II”：完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体
VNP14NV04 - “OMNIFET II”：完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体
线性电流限制
热吹
短电路保护
列印一体化夹持
N低电流输入PIN绘制
通过输入列印诊断反馈
PIN码
列印的ESD保护
直接访问“的大门
功率MOSFET（模拟驾驶）
列印与标准功率兼容
MOSFET的
描述
VNB14NV04，VND14NV04，VND14NV04-1，
VNP14NV04，VNS14NV04，是单片
意法半导体VIPower设计的设备
M0-3技术，用于更换
从直流到50kHz的标准功率MOSFET
应用。内置热关断，线性
电流限制|和过电压钳位保护
在恶劣环境下的芯片。
通过监测，可以检测到故障反馈
在输入引脚的电压。
| VND10N06-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND10N06 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND10N06TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND14NV04-1 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND14NV04 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND14NV04TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND1NV04 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND1NV04-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND3NV04 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND3NV04TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND3NV04-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND5N07-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND5N07 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND5N0713TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND7N04-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND7N04 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND7N04TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND7N0413TR | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND7NV04-1 | ST | 09+ | SOT-251 |
| VND7NV04 | ST | 09+ | SOT-252 |
| VND7NV04TR | ST | 09+ | SOT-252 |
产品均为环保，原厂进货，一手货源，价格优惠！质量可靠！常备现货!
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供应NEC场效应管2SJ355,NEC场效应管价格,NEC场效应管代理
信息内容：2SJ355 - P沟道MOS FET高开关 - NEC公司 2SJ355是一个P沟道MOS场效应管的垂直型和 开关元件，可以直接输出驱动 IC工作于5 V。 该产品具有低导通电阻和精湛的开关 特点，是理想的驱动执行器及直流/直流 转换器。 特点 可直接驱动5 V IC 低导通电阻 RDS(on) = 0.60 W MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A RDS(on) = 0.35 W MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A 2SJ355 - P沟道MOS FET高开关 - NEC公司 2SJ355是一个P沟道MOS场效应管的垂直型和 开关元件，可以直接输出驱动 IC工作于5 V。 该产品具有低导通电阻和精湛的开关 特点，是理想的驱动执行器及直流/直流 转换器。 特点 可直接驱动5 V IC 低导通电阻 RDS(on) = 0.60 W MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A RDS(on) = 0.35 W MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A 2SJ199 NEC 11+ROHS SOT-89 2SJ202 NEC 11+ROHS SOT-23 2SJ205 NEC 11+ROHS SOT-89 ...
供应英飞凌MOS管IPD15N03LA价格,英飞凌场效应管代理
信息内容：IPD15N06S2L-64 - 的OptiMOS功率晶体管 - 英飞凌科技股份公司 特点 N沟道逻辑电平 - 增强模式 汽车AEC Q101标准 MSL1高达260°C峰值回流 175°C的工作温度 绿色封装（无铅） 脠乧葏RDS（ON） ㄠ ％雪崩测试 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 电脑主板显卡场效应管: SUD50N03-06P,SUD50N03-06,SUD50N03,D50N03,50N03 SOT-252 04+ VISHAY SMD/MOS N场 30V 84A 0.0065Ω IPD06N03LBG,IPD06N03LB G,IPD06N03,06N03LB,06N03,SOT252,infineon,30V,50A,0.0061Ω IPD03N03LBG,IPD03N03LB G,IPD03N03,03N03LBG,03N03LB G,SOT252,infineon,30V,90A,0.0033Ω IPD03N03LAG,IPD03N03LA G,03N03LAG,03N03LA G,03N03,SOT252,infineon,25V,90A,0.0032Ω PH5525L,PH5525 SOT669 NXP/恩智浦 SMD/MOS N场 25V 81.7A 0.0055Ω 2.15V PH2525L,PH2525 SOT669 NXP/恩智浦 SMD/MOS N场 25V 100A 0.0025Ω 2.15V IPB15N03LA,IPB15N03L,IPB15N03,B15N03LA,B15N03L,B15N03,15N03LA,15N03L,15N03,SOT-263,infineon,30V,42A IPD15N03LA,IPD15N03L,IPD15N03,D15N03LA,D15N03L,D15N03,15N03LA,15...
