价 格: | 1.00 | |
型号/规格: | FQD3P50TM | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 大功率 |
FQD3P50 - 500V P沟道MOSFET - 飞兆半导体
一般说明
增强型P沟道功率场效应晶体管的生产利用飞兆半导体专有的,平面条形DMOS技术。这种先进的技术已特别定制限度地减少通态电阻,提供优越的开关性能和承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些设备都适合的基础上免费电子灯镇流器半桥。
特点
-2.1A,-500V时,RDS(ON)=4.9Ω@ VGS =-10V
低栅极电荷(典型的18 NC)
低Crss(典型值为9.5 pF的)
快速开关
ㄠ %雪崩测试
改进的dv / dt能力
FAIRCHILD/仙童 P沟道场效应管系列:
FDR838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω
FDR838 SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω
838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω
FDS4435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -9A
FDS6685 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -8.8A
NDS8435 FAIRCHILD SOP-8 P场 0 0
NDS9435A,NDS9435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -5.3A
FDN336P,FDN336 FAIRCHILD SOT-23 P场 -30V -1.3A
FDN340P,FDN340 FAIRCHILD SOT-23 P场 -20V -2A
NDC652P,NDC652 FAIRCHILD SOT-23-6 P场 -20V -1.3A
D10P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -10A
D15P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -15A
FDD5614P,FDD5614 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -15A
FDD6637 FAIRCHILD SOT-252 P场 -35V -55A
FQD17P06,17P06,D17P06 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -17A
FQD3P50,3P50,D3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场 -500V -2.1A
RFD10P03L,RFD10P03,10P03 FAIRCHILD SOT-252 P场 -30V -10A
SFR9034 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -14A
SFR9224TM,SFR9224 FAIRCHILD SOT-252 P场 -250V -2.5A
SFR9310 FAIRCHILD SOT-252 P场 -400V -1.5A
NDB6030PL,NDB6030 FAIRCHILD SOT-263 P场 -30V -30A
RFP15P05,15P05 FAIRCHILD TO-220 P场 -50V -15A
SFP9634 FAIRCHILD TO-220 P场 -250V -5A
SFS9630 FAIRCHILD TO-220F P场 -200V -6.5A
SFS9634 FAIRCHILD TO-220F P场 -250V -3.4A
FQU11P06TU,FQU11P06,11P06 FAIRCHILD TO-251 P场 -60V -11A
FQU17P06,U17P06,17P06 FAIRCHILD TO-251 P场 -60V -12A
RFD15P05,15P05 FAIRCHILD TO-251 P场 -50V -15A
SFU9214 FAIRCHILD TO-251 P场 -250V -2.7A
RFD17P06,17P06 FAIRCHILD TO-251短 P场 -60V -17A
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IPD053N08N3G - OptiMOS3功率晶体管 - 英飞凌科技股份公司 特点 N-通道,正常水平 的栅极电荷x的R DS(ON)的产品值(FOM) 非常低的电阻R DS(ON) 175°C的工作温度 镀铅无铅,符合RoHS 合格根据以JEDEC1)为目标应用 理想的高频开关和同步整流 infineon/英飞凌 P沟道场效应管系列: IPP100P03P3L-04,IPP100P03P3L,IPP100P03,100P03,TO-220,infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043Ω 3P03L04,TO-220,infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043Ω SPD08P06P,SPD08P06,D08P06 infineon SOT-252 P场 -60V -8.8A SPD09P06P,SPD09P06,09P06 infineon SOT-252 P场 -60V -9A SPD18P06P,SPD18P06,18P06 infineon SOT-252 P场 -60V -18A SPD30P06P,SPD30P06,30P06 infineon SOT-252 P场 -60V -30A SPD50P03L,SPD50P03,50P03 infineon SOT-252-5 P场 -30V -50A SPB08P06P,SPB08P06,08P06 infineon SOT-263 P场 -60V -8A SPB80P06P,SPB80P06,80P06 infineon SOT-263 P场 -60V -80A IPD90N06S3L-05 INFINEON 09+ TO-252 IPD30N06S3-24 INFINEON ...
NTF2955T1G - 安森美半导体功率MOSFET NTD2955T1G - 安森美半导体功率MOSFET 功率MOSFET -60 V,-2.6 A,单P沟道SOT-223 特点 TMOS7设计的低RDS(on) 可承受高能量,在雪崩和通讯模式 应用 电源供应器 PWM电机控制 氠抏档 电源管理 额定值(TJ= 25°C除非另有说明) ON P沟道场效应管系列: NTF2955T1,NTF2955 ON SOT-223 P场 -60V -1.2A NTD2955 ON SOT-252 P场 -60V -12A NTD25P03LT4,NTD25P03L,NTD25P03,D25P03L,D25P03,25P03 ON SOT-252 P场 -30V -25A NTD20P06LT4,NTD20P06L,NTD20P06,D20P06L,D20P06,20P06 ON SOT-252 P场 -60V -20A 茂达 P沟道场效应管系列: APM3095P,APM3095 茂达 SOT-252 P场 -30V -6A TOSHIBA/东芝 P沟道场效应管系列: TPC6103,SOT-23-6, -12V, -5.5A,0.035Ω 2SJ377-Z,2SJ377,J377-Z,J377 TOSHIBA SOT-252 P场 -60V -5A 2SJ439-Z,2SJ439,J439-Z,J439 TOSHIBA SOT-252 P场 -16V -5A VISHAY/威士 P沟道场效应管系列: SUM110P04-04L-E3,SUM110P04,110P04 VISHAY SOT-263 P场 -40V -110A SUP75P05-08,SUP75P05,75P05 VISHAY TO-220 P场 -50V -75A SUP75P03-07,SUP75P03,75P03 VISHAY TO-220 P场 -30...