供应ON场效应管NTGS3446T1G,NTGS3446T1G代理
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NTGS3446T1G | |
| 品牌/商标： | ON（安森美） | |
| 封装形式： | SOT23-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
NTGS3446T1G 功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
NTGS3433T1G
NTGS3441T1G
NTGS3443T1G
NTGS3446T1G
NTGS3455T1G
功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
产品特征
1.超低的RDS（on）
2.更高的效率延长电池寿命
3.逻辑电平门极驱动
4.智能决策支持系统指定的高温
5.无铅封装（G后缀）
应用
1.电源管理在便携式和电池供电的产品，即电脑，打印机，PCMCIA卡，手机和无绳电话
2.锂离子电池应用
3.笔记本电脑
NE38018 场效应管,低噪声放大器
完整型号:
NE38018
NE38018-T1
NE38018-T1A
NE38018-T1B
NE38018-T1-A
NE38018-T1-B
NE38018-T1-67
NE38018-T1-68
NE38018-T1/67
NE38018-T1/68
厂家:NEC
年份:10+
封装:SOT23-4
供应数量:30000PCS
最小包装:3000PCS/盘
产品描述
1.超低噪声
2.NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz
NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz
3.微型4pin封装
4.Wg = 800 mm
2SC3583 微波,低噪声放大器,NPN,晶体管
2SC3583
2SC3583/R33
2SC3583/R34
2SC3583/R35
产品描述
2SC3583是npn型外延硅晶体管，用于设计低噪声和较高频波段小信号放大器，UHF波段。低噪声系数，高增益和高电流能力达到非常广阔动态范围和卓越的线性度。
产品特征
1.NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz
2.Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz
UPG2179TB 1.5W L, S波段单刀双掷开关
UPG2179TB
UPG2179TB-E4
UPG2179TB-E4-A
产品特征
1.开关控制电压:
Vcont (H) = 2.5 to 5.3 V (3.0 V TYP.)
Vcont (L) = ?0.2 to +0.2 V (0 V TYP.)
2.低损耗:
0.25 dB TYP. @ 0.5 to 1.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.30 dB TYP. @ 1.0 to 2.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.35 dB TYP. @ 2.0 to 2.5GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.40 dB TYP. @ 2.0 to 3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
3.HIGH ISOLATION:
27 dB TYP. @ 0.5 to 2.0 GHz,Vcont=3.0V/0 V
24 dB TYP. @ 2.0 to 2.5 GHz,Vcont=3.0V/0 V
4.高功率:
Pin (0.1 dB)=+29.0dBm TYP. @ 0.5to3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
Pin (1 dB)=+32.0dBm TYP. @ 0.5to3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
5.高密度表面贴装封装：
6-pin超小形,无铅封装
产品应用:
1.S波段数字蜂窝和无绳电话
2.无线局域网，WLL和蓝牙
3.短程无线
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱小姐（主营MOS场效应管/三极管,集成IC系列）
- 电话：0755-82811148/82818119
- 传真：0755-82818119
- 手机：13682688518
- QQ ：
供应供应FAIRCHILD场效应管价格,仙童场效应管FQD3P50TM价格
信息内容：FQD3P50 - 500V P沟道MOSFET - 飞兆半导体 一般说明 增强型P沟道功率场效应晶体管的生产利用飞兆半导体专有的，平面条形DMOS技术。这种先进的技术已特别定制限度地减少通态电阻，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些设备都适合的基础上免费电子灯镇流器半桥。 特点 -2.1A，-500V时，RDS（ON）=4.9Ω@ VGS =-10V 低栅极电荷（典型的18 NC） 低Crss（典型值为9.5 pF的） 快速开关 ㄠ ％雪崩测试 改进的dv / dt能力 FAIRCHILD/仙童 P沟道场效应管系列: FDR838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω FDR838 SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω 838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω FDS4435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -9A FDS6685 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -8.8A NDS8435 FAIRCHILD SOP-8 P场 0 0 NDS9435A,NDS9435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -5.3A FDN336P,FDN336 FAIRCHILD SOT-23 P场 -30V -1.3A FDN340P,FDN340 FAIRCHILD SOT-23 P场 -20V -2A NDC652P,NDC652 FAIRCHILD SOT-23-6 P场 -20V -1.3A D10P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -10A D15P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -15...
供应INFINEON场效应管IPD053N08N3G,英飞凌场效应管代理
信息内容：IPD053N08N3G - OptiMOS3功率晶体管 - 英飞凌科技股份公司 特点 N-通道，正常水平 的栅极电荷x的R DS（ON）的产品值（FOM） 非常低的电阻R DS（ON） 175°C的工作温度 镀铅无铅，符合RoHS 合格根据以JEDEC1）为目标应用 理想的高频开关和同步整流 infineon/英飞凌 P沟道场效应管系列: IPP100P03P3L-04,IPP100P03P3L,IPP100P03,100P03,TO-220,infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043Ω 3P03L04,TO-220,infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043Ω SPD08P06P,SPD08P06,D08P06 infineon SOT-252 P场 -60V -8.8A SPD09P06P,SPD09P06,09P06 infineon SOT-252 P场 -60V -9A SPD18P06P,SPD18P06,18P06 infineon SOT-252 P场 -60V -18A SPD30P06P,SPD30P06,30P06 infineon SOT-252 P场 -60V -30A SPD50P03L,SPD50P03,50P03 infineon SOT-252-5 P场 -30V -50A SPB08P06P,SPB08P06,08P06 infineon SOT-263 P场 -60V -8A SPB80P06P,SPB80P06,80P06 infineon SOT-263 P场 -60V -80A IPD90N06S3L-05 INFINEON 09+ TO-252 IPD30N06S3-24 INFINEON ...
