角度传感器MMA233F，现货批发MMA233|旋转编码器专用
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA233F | |
| 品牌/商标： | MDT |
多维科技主营范围：TMR磁传感器芯片（包括线性传感器、角度传感器、开关传感器、金融磁头、电流传感器等）及其应用解决方案。
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
角度传感器的产品特性：
■ 隧道磁电阻 ( TMR) 技术
■ 超大输出信号，无需信号放大
■ 超低功耗
■ 超高频率响应 >20 MHz
■ 优越的温度稳定性
■ 低磁滞
■ 宽工作电压范围
■ 工作间隙大
■ 极小封装尺寸
- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张先生
- 电话：0512-56319303
- 传真：0512-56366200
- 手机：
- QQ ：
角度传感器MMA233F，厂家批发角度传感器MMA233F热卖
信息内容：多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术，拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备，完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户，为全球客户提供高品质服务。 角度传感器MMA233F的产品参数： 极限参数 参数 符号 限值 单位 工作电压 ...
磁图像识别传感器MMG332T，现货MMG332T|检测宽度5mm
信息内容：多维科技研发公共平台将面向全球客户，能满足客户的一站式需求，提供的服务包括封装、测试和快速打样，为客户整合资源，降低成本，提高效率。 TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。 随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。MTJ s中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合，只需要一个很小的外磁场即可将其中一个铁磁层的磁化方向反向，从而实现隧穿电阻的巨...
