磁图像识别传感器MMG332T，现货MMG332T|检测宽度5mm

价格：		面议
型号/规格：		MMG332T
品牌/商标：		MDT

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　　多维科技研发公共平台将面向全球客户，能满足客户的一站式需求，提供的服务包括封装、测试和快速打样，为客户整合资源，降低成本，提高效率。

　　TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。

　　随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。MTJ s中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合，只需要一个很小的外磁场即可将其中一个铁磁层的磁化方向反向，从而实现隧穿电阻的巨大变化，故MTJ s较金属多层膜具有高得多的磁场灵敏度。同时，MTJ s这种结构本身电阻率很高、能耗小、性能稳定。因此，MTJ s无论是作为读出磁头、各类传感器，还是作为磁随机存储器(MRAM)，都具有无与伦比的优点，其应用前景十分看好，引起世界各研究小组的高度重视。

　　多维科技在未来的发展道路上将致力于为行业提供人才和技术资源，搭建平台以打造开放的半导体研发与生产基地，整合资源以努力完善国内磁传感产业链，提升我国传感技术的研发、生产与应用水平。以薛松生博士为核心的多维科技团队将以前瞻性的目光和胸襟面对新时代传感产业浪潮，愿携手全球产业界人士，开创感知未来的新天地。

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图1 多维科技芯片工厂内的高端设备

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图2 多维科技研发生产的晶圆芯片

江苏多维科技有限公司

公司信息未核实

所属城市：江苏苏州
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联系人： 张先生
电话：0512-56319303
传真：0512-56366200
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信息内容：

多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。　　磁传感器的未来发展趋势特点　　磁传感器未来的发展趋势有以下几种特点：　　1、高灵敏度。被检测信号的强度越来越弱，这就需要磁性传感器灵敏度得到极大提高。应用方面包括电流传感器、角度传感器、齿轮传感器、太空环境测量。　　2、温度稳定性。更多的应用领域要求传感器的工作环境越来越严酷，这就要求磁传感器必须具有很好的温度稳定性，行业应用包括汽车电子行业。　　3、抗干扰性。很多领域里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身具有很好的抗干扰性。包括汽车电子、水表等等。　　4、小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，这就需要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成。　　5、高频特性。随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。　　6、低功耗。很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯片，指南针等等。　　公司主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将...

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