角度传感器MMA233F，生产批发MMA233F|高频响

价格：		面议
型号/规格：		MMA233F
品牌/商标：		MDT

详细介绍
企业详情

　　多维科技有是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术——隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。

角度传感器MMA233F的产品参数：

极限参数

参数	符号	限值	单位
工作电压	VCC	7	V
存储温度	Tstg	-40 ~ 105	°C
工作磁场	B	3000	Oe(1)
ESD (HBM)		4000	V

性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 ℃, 差分输出 )

参数	符号	条件	最小值	典型值	值	单位
工作电压	VCC	TA = 25°C		1	5	V
工作电流	ICC	TA = 25°C		250(2)		μA
电阻	R	TA = 25°C		4(3)		kOhm
输出范围	VOUT	TA = 25°C		-900		mV/V
偏移电压(4)	VOQ	TA = 25°C	-10		10	mV/V
TCOV(5)		Operating		990		PPM/°C
工作磁场	B	Operating	70		400	Oe
角度误差	E	Operating		+/-2.5		Degree
使用温度	TA	Operating	-40		85	°C

注：

（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。

（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。

（3）电阻值有多种选择，详情请咨询多维科技有限公司。

（4）偏移电压：角度为零时，传感器输出电压（正余弦模式）。

（5）TCOV：在恒定工作电压下，输出信号随温度变化的百分比。

　　在MMA253F芯片上表面放置一小块磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA253F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA253F中的TMR传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”，受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。

江苏多维科技有限公司

公司信息未核实