开关传感器MMS2X1H，接近开关专用开关传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS1X1H | |
| 品牌/商标： | MDT |
多维科技有是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
MMS201H低功耗全极磁开关的产品特点：
·隧道磁电阻（TMR）技术
·1.5微安超低功耗
·高频率响应可达1kHz
·全极磁开关
·高灵敏度，低开关点
·宽工作电压范围
·卓越的温度稳定性
·优越的抗外磁场性能
性能参数(VCC =3.0V,TA=25℃ )
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
正常工作 |
1.8 |
3.0 |
5.5 |
V |
|
输出高电压 |
VOH |
|
2.7 |
3 |
V |
|
|
输出低电压 |
VOL |
|
0 |
0.2 |
V |
|
|
工作电流 |
ICC |
输出开路 |
4.5 |
5.5 |
μA |
|
|
响应频率 |
F |
|
1 |
kHz |
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开启时间 |
tPO |
|
200 |
μs |
注：在以上测试中，电源和地之间需连接一个0.1μF的电容。
随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。MTJ s中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合，只需要一个很小的外磁场即可将其中一个铁磁层的磁化方向反向，从而实现隧穿电阻的巨大变化，故MTJ s较金属多层膜具有高得多的磁场灵敏度。同时，MTJ s这种结构本身电阻率很高、能耗小、性能稳定。因此，MTJ s无论是作为读出磁头、各类传感器，还是作为磁随机存储器(MRAM)，都具有无与伦比的优点，其应用前景十分看好，引起世界各研究小组的高度重视。
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开关传感器MMS2X1H，超低功耗全极性开关传感器
信息内容：多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术，拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备，完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户，为全球客户提供高品质服务。 MMS201H低功耗全极磁开关的产品特点： ·隧道磁电阻（TMR）技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·全极磁开关 ·高灵敏度，低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 性能参数(VCC =3.0V,TA=25℃ ) 参数 符号 条件 最小值 典型值 值 单位 工作电压 VCC 正常工作 1.8 3.0 ...
开关传感器MMS2X1H，全极磁开关MMS2X1H|大于1KHz频响
信息内容：多维科技在未来的发展道路上将致力于为行业提供人才和技术资源，搭建平台以打造开放的半导体研发与生产基地，整合资源以努力完善国内磁传感产业链，提升我国传感技术的研发、生产与应用水平。以薛松生博士为核心的多维科技团队将以前瞻性的目光和胸襟面对新时代传感产业浪潮，愿携手全球产业界人士，开创感知未来的新天地。 磁特性(VCC =3.0V,TA=25℃) 参数 符号 最小值 典型值 值 单位 工作点 BOPS 10 15 20 G BOPN -20 -15 -10 ...
