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开关传感器MMS2X1H,超低功耗全极性开关传感器

价 格: 面议
型号/规格:MMS2X1H
品牌/商标:MDT

  多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术,拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备,完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户,为全球客户提供高品质服务。

 

  MMS201H低功耗全极磁开关的产品特点:
  ·隧道磁电阻(TMR)技术
  ·1.5微安超低功耗
  ·高频率响应可达1kHz
  ·全极磁开关
  ·高灵敏度,低开关点
  ·宽工作电压范围
  ·卓越的温度稳定性
  ·优越的抗外磁场性能
 

    性能参数(VCC =3.0V,TA=25 ) 

参数

符号

条件

最小值

典型值

单位

工作电压

VCC

正常工作

1.8

3.0

5.5

V

输出高电压

VOH

 

2.7

 

3

V

输出低电压

VOL

 

0

 

0.2

V

工作电流

ICC

输出开路

 

4.5

5.5

μA

响应频率

F

 

 

1

 

kHz

开启时间

tPO

 

 

200

 

μs

注:在以上测试中,电源和地之间需连接一个0.1μF的电容。

 

         出和场关系

参数

测条件试

输出信号

南极磁场(S)

B > BOPS

低电平(开)

南极磁场(S)

0 < B < BRPS

高电平(关)

北极磁场(N)

B < BOPN

低电平(开)

北极磁场(N)

0 > B > BRPN

高电平(关)

 

  TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件,MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更好的线性度,不需要额外的聚磁环结构;相对于AMR元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更宽的线性范围,不需要额外的set/reset线圈结构;相对于GMR元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更宽的线性范围。

江苏多维科技有限公司
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