多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术,拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备,完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户,为全球客户提供高品质服务。
MMS201H低功耗全极磁开关的产品特点:
·隧道磁电阻(TMR)技术
·1.5微安超低功耗
·高频率响应可达1kHz
·全极磁开关
·高灵敏度,低开关点
·宽工作电压范围
·卓越的温度稳定性
·优越的抗外磁场性能
性能参数(VCC =3.0V,TA=25℃ )
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
正常工作 |
1.8 |
3.0 |
5.5 |
V |
|
输出高电压 |
VOH |
|
2.7 |
3 |
V |
|
|
输出低电压 |
VOL |
|
0 |
0.2 |
V |
|
|
工作电流 |
ICC |
输出开路 |
4.5 |
5.5 |
μA |
|
|
响应频率 |
F |
|
1 |
kHz |
||
|
开启时间 |
tPO |
|
200 |
μs |
注:在以上测试中,电源和地之间需连接一个0.1μF的电容。
输出和磁场关系
|
参数 |
测条件试 |
输出信号 |
|
南极磁场(S) |
B > BOPS |
低电平(开) |
|
南极磁场(S) |
0 < B < BRPS |
高电平(关) |
|
北极磁场(N) |
B < BOPN |
低电平(开) |
|
北极磁场(N) |
0 > B > BRPN |
高电平(关) |
TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件,MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更好的线性度,不需要额外的聚磁环结构;相对于AMR元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更宽的线性范围,不需要额外的set/reset线圈结构;相对于GMR元件具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更宽的线性范围。
多维科技在未来的发展道路上将致力于为行业提供人才和技术资源,搭建平台以打造开放的半导体研发与生产基地,整合资源以努力完善国内磁传感产业链,提升我国传感技术的研发、生产与应用水平。以薛松生博士为核心的多维科技团队将以前瞻性的目光和胸襟面对新时代传感产业浪潮,愿携手全球产业界人士,开创感知未来的新天地。 磁特性(VCC =3.0V,TA=25℃) 参数 符号 最小值 典型值 值 单位 工作点 BOPS 10 15 20 G BOPN -20 -15 -10 ...
多维科技主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验,将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标,服务于磁性传感器行业,并计划在企业设立的研发中心,建立传感器产业园,发挥产业集聚效应,为社会创造更大的价值。 MMS201H低功耗全极磁开关的产品特点: ·隧道磁电阻(TMR)技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·全极磁开关 ·高灵敏度,低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 输出和磁场关系 参数 测条件试 输出信号 南极磁场(S) B > BOPS 低电平(开) 南极磁场(S) 0 < B < BRPS 高电平(关) 北极磁场(N) ...