价 格: | 面议 | |
型号/规格: | STP80NF70 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
STP80NF70: | STP80NF70 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
用途: | L/功率放大 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
dzsc/19/3328/19332828.jpg
50 |
分立半导体产品 |
FET - 单 |
STripFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准 |
68V |
98A |
9.8 毫欧 @ 40A,10V |
4V @ 250µA |
75nC @ 10V |
2550pF @ 25V |
190W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
dzsc/19/3329/19332908.jpg标准包装500类别分立半导体产品家庭单二极管/整流器系列-二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(值)1000V(1kV)电流 - 平均整流 (Io)6A不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)900mV @ 6A速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)-不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 1000V不同 Vr、F 时的电容-安装类型通孔封装/外壳R6,轴向供应商器件封装R-6包装带卷 (TR)产品目录页面1590 (CN2011-ZH PDF)其它名称6A1056A10DITR6A10T6A10TR6A10TR-ND
dzsc/19/3330/19333026.jpg标准包装8,000类别分立半导体产品家庭单二极管/整流器系列-二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(值)30V电流 - 平均整流 (Io)30mA不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)370mV @ 1mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度反向恢复时间 (trr)8ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 30V不同 Vr、F 时的电容-安装类型表面贴装封装/外壳SOD-923供应商器件封装SOD-923包装带卷 (TR)其它名称RB751SLTR