dzsc/19/3329/19332908.jpg
500 |
分立半导体产品 |
单二极管/整流器 |
- |
标准 |
1000V(1kV) |
6A |
900mV @ 6A |
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
- |
10µA @ 1000V |
- |
通孔 |
R6,轴向 |
R-6 |
带卷 (TR) |
1590 (CN2011-ZH PDF) |
6A105 6A10DITR 6A10T 6A10TR 6A10TR-ND |
dzsc/19/3330/19333026.jpg标准包装8,000类别分立半导体产品家庭单二极管/整流器系列-二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(值)30V电流 - 平均整流 (Io)30mA不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)370mV @ 1mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度反向恢复时间 (trr)8ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 30V不同 Vr、F 时的电容-安装类型表面贴装封装/外壳SOD-923供应商器件封装SOD-923包装带卷 (TR)其它名称RB751SLTR
dzsc/19/3331/19333133.jpg制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/3331/19333133.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:75 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:80 A电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0095 Ohms配置:Single工作温度: 175 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220封装:Tube下降时间:30 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):20 S 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:300 W 上升时间:100 ns 工厂包装数量:1000 典型关闭延迟时间:66 ns