价 格: | 面议 | |
额定电压: | -- | |
线圈电源: | 详见附页 | |
额定电流: | -- | |
线圈功率: | 详见附页 | |
触点切换电流: | 详见附页 | |
触点切换电压: | 详见附页 | |
防护特征: | 详见附页 | |
触点负载: | 详见附页 | |
应用范围: | -- | |
型号/规格: | G3VM-601EY(TR) | |
品牌/商标: | OMRON/欧姆龙 | |
触点形式: | 详见附页 |
G3VM-601BY/EYMOS FET继电器
最适合应用于模拟信号开关的
MOS FET继电器通过光绝缘实现输入输出间耐压AC5kV
欧姆龙MOS FET继电器g3vm-601by/ey特点如下:
● 可适用于微小模拟信号的开关。
● AC/DC两用。
● 负载电压600V。
● 输入输出间耐压AC5kV。
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
dzsc/19/3101/19310150.jpg
G3VM-601BY
G3VM-601EY
G3VM-601EY(TR)
G3VM-401BE MOS FET继电器 最适合应用于模拟信号开关的MOSFET继电器通过光绝缘实现输入输出间耐压AC2.5kV产品也系列化。 欧姆龙MOS FET继电器g3vm-401b/e特点如下:● 可适用于微小模拟信号的开关。● 输出开路时漏电流在1µA以下。● G3VM-4N系列已经改良更新。 dzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgdzsc/19/3157/19315720.jpgG3VM-401BG3VM-401EG3VM-401E(TR)"
G3VM-61PR MOS FET继电器 世界上最小级别的USOP封装实现低C×R=20pF·Ω的新型MOS FET继电器(Coff(标准)=20pF、Ron(标准)=1Ω) 负载电压60∨型 欧姆龙MOS FET继电器G3VM-61PR特点如下:● 抑制输出信号衰减的导通电阻=1Ω(标准)。 dzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgdzsc/19/3226/19322639.jpgG3VM-61PR G3VM-61PR(TR05)G3VM-61PR(TR)