HC-49/SSMD产品详细参数:
频率范围:4.0 ~ 90 MHz
频率公差(25℃)± 30 ppm, or specify
在工作温度范围内的频率稳定度:± 30 ppm, or specify
工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify
并联电容(C0):7 pF Max.
驱动级:1 ~ 500 μW (100 μW typical)
负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify
老化(25℃):± 3 ppm / year Max.
储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC
贴片晶振的发展趋势:
贴片晶振即SMD晶振,是采用表面贴装技术制造封装的微小型化无插脚晶体振荡器,具有体积小,焊接方便,效率高等特点,在电子消费产品中十分常见。贴片晶振常用于手机, 电脑周边数码相机,MP3,U盘等高新技术产业。
HC-49/SSMD产品详细参数: 频率范围:4.0 ~ 90 MHz 频率公差(25℃)± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1 ~ 500 μW (100 μW typical) 负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶振发展趋势: 1.小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。 2.高精度与高稳定度,无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。 3.低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主...
SMD 2016产品详细参数: 频率范围:20 ~ 54 MHz 频率公差(25℃):± 10ppm± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0): 驱动级:1~200μW (100 μW typical) 负载电容:Series, 9 pF, 10 pF, 12 pF, 15 pF, or specif 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶体压控振荡器: 在用石英晶体稳频的振荡器中,把变容二极管和石英晶体相串接,就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围,石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体,在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。 在微波频段,用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展,将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。 晶振发展趋势: 1.小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代...